门极可关断晶闸管电力晶体管电力场效应晶体管.PPTVIP

*/89 2.4.3 电力场效应晶体管 ■电力MOSFET的主要参数 ◆跨导Gfs、开启电压UT以及开关过程中的各时间参数。 ◆漏极电压UDS ?标称电力MOSFET电压定额的参数。 ◆漏极直流电流ID和漏极脉冲电流幅值IDM ?标称电力MOSFET电流定额的参数。 ◆栅源电压UGS ?栅源之间的绝缘层很薄，?UGS?20V将导致绝缘层击穿。 ◆极间电容 ? CGS、CGD和CDS。 ◆漏源间的耐压、漏极最大允许电流和最大耗散功率决 定了电力MOSFET的安全工作区。 */89 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ■GTR和GTO是双极型电流驱动器件，由于具有 电导调制效应，其通流能力很强，但开关速度较 低，所需驱动功率大，驱动电路复杂。而电力 MOSFET是单极型电压驱动器件，开关速度快， 输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱 动电路简单。绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor——IGBT或IGT）综合了GTR 和MOSFET的优点，因而具有良好的特性。 */89 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ■IGBT的结构和工作原理 ◆IGBT的结构 ?是三端器件，具有栅极G、 集电极C和发射极E。 ?由N沟道VDMOSFET与双 极型晶体管组合而成的IGBT， 比VDMOSFET多一层P+注入 区，实现对漂移区电导率进行调 制，使得IGBT具有很强的通流 能力。 ?简化等效电路表明，IGBT 是用GTR与MOSFET组成的达 林顿结构，相当于一个由 MOSFET驱动的厚基区PNP晶 体管。 图2-23 IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号a) 内部结构断面示意图 b) 简化等效电路 c) 电气图形符号 RN为晶体管基区内的调制电阻。 */89 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ◆IGBT的工作原理 ?IGBT的驱动原理与电力MOSFET基本相同，是一种场 控器件。 ?其开通和关断是由栅极和发射极间的电压UGE决定的。 √当UGE为正且大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，并为晶体管提供基极电流进而使IGBT导通。 √当栅极与发射极间施加反向电压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，使得IGBT关断。 ?电导调制效应使得电阻RN减小，这样高耐压的IGBT也 具有很小的通态压降。 */89 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ■IGBT的基本特性 ◆静态特性 ?转移特性 √描述的是集电极电流 IC与栅射电压UGE之间的 关系。 √开启电压UGE(th)是 IGBT能实现电导调制而 导通的最低栅射电压，随 温度升高而略有下降。 （a） 图2-24 IGBT的转移特性和输出特性 a) 转移特性 */89 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ?输出特性（伏安特性） √描述的是以栅射电压为参考变量时，集电极电流IC与集射极间电压UCE之间的关系。 √分为三个区域：正向阻断区、有源区和饱和区。 √当UCE0时，IGBT为反向阻断工作状态。 √在电力电子电路中，IGBT工作在开关状态，因而是在正向阻断区和饱和区之间来回转换。 (b) 图2-24 IGBT的转移特性和输出特性 b) 输出特性 */89 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ◆动态特性 ?开通过程 √开通延迟时间td(on) 电流上升时间tr 电压下降时间tfv 开通时间ton= td(on)+tr+ tfv √tfv分为tfv1和tfv2两段。 ?关断过程 √关断延迟时间td(off) 电压上升时间trv 电流下降时间tfi 关断时间toff = td(off) +trv+tfi √tfi分为tfi1和tfi2两段 ?引入了少子储存现象，因而IGBT的开关速度要低于MOSFET。 图2-25 IGBT的开关过程 */89 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ■IGB