2014-0929 芯片制造基本工艺介绍.ppt

光刻 前处理（PRIMING） 涂胶（Coating） 曝光（EXPOSURE） 显影前烘焙（PreEx B） 显影（DEVELOPING） 坚膜（Hard Bake） 显检（INSPECTION） 测量（METROLOGY） 下工序 返工（REWORK） 软烘（Soft Bake） 光刻的目的是将设计图形转移到硅片上。 光照 光阻PR 光罩 刻蚀 PR 刻蚀的目的是去除显影后裸露出来的物质，实现图形的转移。 刻蚀主要分为使用化学溶液的湿法蚀刻和使用气体的干法蚀刻。 湿法刻蚀一般使用湿法槽，主要分为氧化层刻蚀，SiN刻蚀，金属刻蚀，硅刻蚀等 干法刻蚀一般有等离子刻蚀（PE）和反应离子刻蚀（RIE），可以去除氧化层，SiN,多晶硅，单晶硅，金属等 工艺膜层 刻蚀后 离子注入 离子注入技术可将杂质以离子型态注入半导体组件的特定区域上，以获得精确的电子特性。这些离子必须先被加速至具有足够能量与速度，以穿透（注入）薄膜，到达预定的注入深度。 离子注入制程可对注入区内的杂质浓度加以精密控制。基本上，此杂质浓度（剂量）由离子束电流（离子束内之总离子数）与扫描率（晶圆通过离子束之次数）来控制，而离子注入之深度则由离子束能量之大小来决定。  离子注入的主要参数有注入能量，注入剂量和注入角度等。 标准双极工艺流程 -以NPN晶体管为例 标准双极工艺流程---NPN 双极晶体管 标准双极工艺流程-N+埋层 N+埋层 埋层氧化 涂胶 曝光 显影 湿法腐蚀 磷扩掺杂 埋层推阱 标准双极工艺流程-外延成长 外延 外延成长 标准双极工艺流程-隔离 隔离 隔离氧化 涂胶 曝光 显影 湿法腐蚀 硼扩掺杂 隔离介质层淀积 隔离推阱 基区 标准双极工艺流程-Base基区 基区氧化 涂胶 曝光 显影 湿法腐蚀 基区注入 基区推阱 标准双极工艺流程-发射区/集电区 发射区/集电区 涂胶 曝光 显影 湿法腐蚀 磷扩掺杂 发射区推阱 标准双极工艺流程-孔刻蚀和金属连线 金属互联 孔涂胶 孔曝光 显影 孔刻蚀 金属淀积 金属层涂胶 曝光 显影 金属刻蚀 钝化保护层 钝化层淀积 涂胶 曝光 显影 钝化层刻蚀 CMOS集成电路工艺 --以P阱硅栅CMOS为例 VDD IN OUT P管 N管 S D D S CMOS电路图 P阱形成 N-Si N-Si SiO2 一次氧化 涂胶 曝光 显影 湿法腐蚀 P阱形成（续） N-Si P- N-Si P- B P阱注入 P阱推阱氧化 有源区形成 N-Si P- Si3N4 N-Si P- Si3N4 SiN淀积 涂胶 曝光 显影 湿法SiN腐蚀 湿法Oxide腐蚀 N管场区注入 光刻胶 N-Si P- B+ N管场区涂胶 曝光 显影 N管场区注入 N-Si P- 场氧化 氮化硅全剥 氧化层腐蚀 P管场区注入 N-Si P- B+ P管场区涂胶 曝光 显影 P管场区注入 栅区形成 多晶硅 N-Si P- N-Si P- 栅氧氧化 多晶淀积 多晶掺杂 涂胶 曝光 显影 多晶刻蚀 多晶硅 P管源漏形成 N-Si P- B+ P管源漏涂胶 曝光 显影 P管源漏注入 N管源漏形成 光刻胶 N-Si P- As N管源漏涂胶 曝光 显影 N管源漏注入 接触孔形成 BPSG N-Si P+ P- P+ N+ N+ N-Si P+ P- P+ N+ N+ 介质层BPSG淀积 介质回流 孔涂胶 曝光 显影 孔刻蚀 金属形成 N-Si P+ P- P+ N+ N+ 金属（ALSiCu） 金属淀积 金属层涂胶 曝光 显影 金属刻蚀 P管 N管 附录 JCOA审批通过记录截屏 谢 谢！  晶圆制造基本工艺介绍 目录 晶圆主要制程简介 双极工艺流程简介 MOS工艺流程简介 半导体产业链 长电 新顺 半导体制造环境要求 主要污染源：微尘颗粒、重金属离子、有机物残留物和钠离子等轻金属例子。 超净间：洁净等级主要由 微尘颗粒数/ft3 0.1um 0.2um 0.3um 0.5um 5.0um I级 35 7.5 3 1 NA 10 级 350 75 30