2010-0320-半导体照明技术、市场现状及展望-方志烈.pptVIP

1. LED外延技术 2. LED芯片技术 3. 功率LED封装技术 4. 功率LED的研制方向 5. LED发光效率的发展 6. 半导体照明应用技术 7. 市场现状和预测 8. 半导体照明发展目标 自从提出半导体照明革命已有十年时间了，离计划达到200lm/W的目标还有十一个年头。发光二极管技术取得了比原来计划更快的进步，原计划指标有可能提前实现。特别是最近四、五年内，发光效率提高了4-5倍。功率LED产品最高水平已从25lm/W提高到120-130lm/W，实验室水平Φ5LED已达249lm/W，功率LED也已达208lm/W（2010.2.3报导）。 LED白光发光效率理论值分析，定义了通用照明的白光包括色坐标和显色指数两个条件，即色坐标X，Y均在0.33左右，显色指数80或更高，则RGB-白光LED理论值为355lm/W；荧光粉（YAG-Ce）转换白光LED的理论值为284lm/W。如放宽色坐标和显色指数要求，则理论值可高达400lm/W。所以说白光LED发光效率还有很大的提高潜力。 当前主要的技术问题是提高发光效率、降低光衰与降低成本。 LED的核心技术主要由四个部分组成：即衬底、外延、芯片、封装。 1.LED外延技术 （1）衬底 1）蓝宝石 估计201