P150 11(DRAM刷新).pptxVIP

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P150 11(DRAM刷新)

P150 11(DRAM刷新) RAM芯片内部结构256×256,存储周期0.1us 假定RAM芯片刷新周期2ms 集中刷新间隔=2ms 分散刷新间隔=256×0.1us=25.6us 异步刷新间隔=2ms P151 第15题1/8 16根地址线,8根数据线 CPU具有64K×8位的寻址能力 主存储器容量上限是64K×8位 位扩展宽度:8位 P151 第15题2/8 4K地址为系统程序区(ROM区) ROM地址空间:0000~0FFF,容量:4K×8 选择4K×4,2K×8芯片均可 选择4K×4芯片2片,采用位扩展 4096~16383为用户程序区(RAM区) RAM地址空间:1000~3FFF,容量:12K×8 选择1K×4,2K×8,4K×8芯片均可 选择4K×8芯片3片,采用字扩展 P151 第15题3/8 存储器芯片地址空间 共需4个片选 地址(A15~A0) 芯片 说明(A15~A12) 0000~0FFF ROM(4K×4两片) CS0: 0000 1000~1FFF RAM(4K×8) CS1: 0001 2000~2FFF RAM(4K×8) CS2: 0010 3000~3FFF RAM(4K×8) CS3: 0011 P151 第15题4/8 74138 P151 第15题5/8 74138真值表 A0 P151 第15题6/8 负逻辑:译码输出直接作为片选信号 74138输入管脚连接: 控制端:E2,E1#,E0# E2:H(高电平) E1#,E0#:CPU存储器访问请求线MREQ# 译码地址输入端:A2,A1,A0 A2:L(低电平) A1,A0:CPU地址线A13,A12 P151 第15题7/8 译码输出 138输出 连接关系 Y0# ROM片选 Y1# RAM片选 Y2# RAM片选 Y3# RAM片选 P151 第15题8/8 P151 第16题 8片8K×8芯片及CPU连接 共需8个片选 地址 芯片 说明(A15A14A13) 0000~1FFF 第一片RAM(8K×8) CS0: 000 2000~3FFF 第二片RAM(8K×8) CS1: 001 4000~5FFF 第三片RAM(8K×8) CS2: 010 6000~7FFF 第四片RAM(8K×8) CS3: 011 8000~9FFF 第五片RAM(8K×8) CS4: 100 A000~BFFF 第六片RAM(8K×8) CS5: 101 C000~DFFF 第七片RAM(8K×8) CS6: 110 E000~FFFF 第八片RAM(8K×8) CS7: 111 P151 第16题 P151 第16题 无论数据写到哪个芯片,A000起始地址芯片总是有相同数据 原因:A000起始地址这个芯片的片选信号发生问题,无论A15A14A13为什么值,该芯片片选信号总为低电平:译码器损坏致使CS5总为低,或芯片的CS端搭接到其他低电平信号上。 P151 第16题 A13及CPU断线,并搭接成高电平。 CPU提供地址 实际使用地址 说明(A15A14A13) 0000~1FFF 2000~3FFF CS1: 001 2000~3FFF 2000~3FFF CS1: 001 4000~5FFF 6000~7FFF CS3: 011 6000~7FFF 6000~7FFF CS3: 011 8000~9FFF A000~BFFF CS5: 101 A000~BFFF A000~BFFF CS5: 101 C000~DFFF E000~FFFF CS7: 111 E000~FFFF E000~FFFF CS7: 111 4.28 4.29 4.32 1. 某机主存容量为16MB,组相联方式的Cache容量为64KB,Cache及主存都分为16组,每个数据块为256字节。某指令执行时,经寻址计算,其字节操作数的有效地址为020281H,又知Cache中第2组(组号为2的那组)的前4块已装入,且第2组前4块的Tag内容为: (1) 写出主存及Cache的地址格式; (2)上述操作数能否从Cache中读取,若能,给出其在Cache中的地址。 CACHE补充:第1题 第1题-第1问 块尺寸=256字节 块内地址:8位 组数=64KB/(256B*16)=16 组地址:4位 主存块数=16MB/256B=64K 主存块/组=64K/16=4K 组内块地址:12位 第1题-第1问 主存地址:24位 12位组内块地址,4位组地址,8位块内地址 Cache的Tag:12位 12位组内块地址 第1题-第2问 主存地址:020281H 最低8位为块内地址 对应组内块地址:020H(将及Cache块Tag比较) 主存块号:0202H 对应Cache组号 主存块号%

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