三维有机金属化学沉积垂直腔体喷气头最佳化设计-大同大学论文专书.pdfVIP

中華民國力學學會第三十九屆全國力學會議 國立臺灣科技大學，臺北市， 2015年11月 20-21日 The 39th National Conference on Theoretical and Applied Mechanics, Taipei, Taiwan, ROC, November 20-21, 2015 三維有機金屬化學沉積垂直腔體噴氣頭最佳化設計 1 2 吳俊瑩 、陳昱安 1 大同大學機械工程學系 2 大同大學機械工程學系 E-mail: cywu@ttu.edu.tw 摘要 設計將更加困難。本研究利用微分演化演算法 有機金屬化學氣相沉積法(MOCVD)是發光二極體 (Differential Evolution Algorithm，DE)去搜尋出較 (LED)製程中，生長半導體薄膜的一種方法，膜厚的均 好的最佳化設計，先利用多個測試方程式驗證演算法架 勻性與成長速率攸關 LED 效率與品質。首先針對 MOCVD 構是否正確，並了解在函數最佳化時的搜尋效能。確認 以 ANSYS軟體進行噴氣頭與反應腔體的 3D模擬分析， 程式架構正確性與效能後再整合商用工程分析軟體 再整合微分演化演算法進行最佳解的搜尋，以得到均勻 Ansys的熱傳分析，針對 MOCVD加熱器做溫度均勻性的 的薄膜厚度為本篇論文的目標。本研究使用網格劃分軟 最佳化分析設計，在設計限制條件下尋找各個設計變數 體(ICEM CFD)、流體分析軟體( ANSYS Fluent)的 Batch 的最佳結果，設計出均溫且穩定的加熱器。在噴氣頭 Mode整合自行開發的微分演化演算法最佳化程式進行 (Showerhead)模型的設計則整合 Fluent軟體，以反映 MOCVD反應腔噴氣頭(showerhead)最佳化設計，目的是 表面化學沉積的均勻性為目標，節省發光二極體製程上 為了能將建模、網格劃分、流體分析與設計最佳化整合 的成本，同時提高有機金屬化學氣相沉積反應腔的沉積 以進行全自動化分析模擬進行反應腔噴氣頭孔位大小 品質。1969年 Manasevit 和 Simpson[4] 研究多種不 及距離的最佳化設計及最佳化設計，目標是以提高載盤 同有機金屬沉積在具備單晶性的基板上，以垂直式腔體 表面化學沉積物的沉積率均勻度。最佳化後的結果以薄 在晶圓高速旋轉情況之下以求得其沉積之平均厚度 。 膜沉積率平均值做基準設為 1，最大沉積率為 1.089 ， 1989年 Fotiadis 與 Kieda[1]針對 MOVPE 2D與 最小沉積率為 0.887 。沉積率的變異約在 10% 。 3D模型垂直式腔體作分析研究，同流速不同腔體外型、 關鍵詞 ：有機金屬化學氣相沉積、噴氣頭最佳化、微 相同外型不同流速、同流速不同轉速等對薄膜均勻度都 分演化演算法。 有不同的影響。 2004 年 L.Kadinski [2]等人以 D180(2＂×6)的腔體結構進行三維的流場模擬，入口之 1. 前言 間會因為不同速度差而形成渦旋，假設流入的烷基的濃 發光二極體 (Light-Emittin g Diode，LED)的能量 度與晶體長速成正比，調整內部、中間、外部流進入口 轉換效率比鎢絲燈泡高且較省電，因為屬於是固態照明 的烷基濃度，使載盤上的各個位置晶體成長速度更為均 較不易損毀，在安全環境之下有 10 萬小時的壽命比起