单晶硅薄膜法向热导率的分子动力学模拟.pdf

第 39卷 　第 9 期 哈 　尔 　滨 　工 　业 　大 　学 　学 　报 Vol39 No9 　 　 2 0 0 7 年 9 月 JOURNAL OF HARB IN IN ST ITU TE OF TECHNOLO GY Sep. 2007 　　　　　　 单晶硅薄膜法向热导率的分子动力学模拟 吴国强 , 孔宪仁 , 孙兆伟 , 赵 　丹 , 张伟清 (哈尔滨工业大学 卫星技术工程研究所 , 哈尔滨 15000 1, Em ail: h itwgq@ h it. edu. cn) 摘 　要 : 结合卫星 “微型核 ”的特点 ,用分子动力学模拟的方法研究了硅晶体的热导率与其厚度的依变关系. ( ) 采用 Tersoff势能函数 ,用非平衡分子动力学方法 N EMD 研究了温度为 400 K和 500 K, 厚度为 2 715 ～ 1086 nm 的单晶硅薄膜的热导率. 模拟结果表明:在温度为 400 K和 500 K时 ,薄膜热导率的计算值均随厚 度的增加而增加 ,并显著小于体硅的实验值 ,在模拟范围内法向热导率与薄膜厚度呈近视线性关系. 模拟结 果表现出明显的尺寸效应. 厚度为 27 15 nm 和 8145 nm 的单晶硅薄膜的热导率随着温度的升高反而下降 , 且厚度越大 ,下降趋势越明显. 关键词 : 热导率 ;分子动力学 ;尺寸效应 ;纳米薄膜 中图分类号 : 文献标识码 : A 文章编号 : 0367 - 6234 (2007) 09 - 1366 - 04 M olecular dynam ic s sim ula tion on the outof plane therm a l conductiv ity of singlecry sta l silicon th in f ilm s WU Guoqiang, KON G X ianren , SUN Zhaowei, ZHAO D an , ZHAN G W eiqing (R e search In stitu te of Satellite Engineering and Technology, H arb in 15000 1, Ch ina, Em ail: h itwgq@ h it. edu. cn) A b stract: Comb in ing the characteristic of satellite “m in isize nucleu s ”, mo lecu lar dynam ic s sim u lation wa s imp lem en ted to study the relation sh ip of the therm al conductivity and th ickne ss of silicon. The tersoff function and N EMD calcu lation s were u sed to study the therm al conductrity of single crystal silicon film s w ith a th ick ne ss of abou t 2 7 15 ～1086 nm. The re su lts of calcu lation s demon strate that in the ca se of 400 K and 500 K, therm a