第三章 热氧化生长.pdf

热氧化 《大规模集成电路制造工艺》 1 硅基材料 硅工艺中: SiO ：栅绝缘层材料/绝缘/介质材料； 2 Si N ：介质材料，用作钝化/掩蔽等； 3 4 多晶硅：可以掺杂，导电； 金属硅化物：导电，作为接触和互连…… SiO 与Si之间完美的界面特性是成就硅时代 2 的主要原因。 2 SiO 与Si之间界面 2 SiO2 Si 3 SiO 的基本性质 2 通常热氧化生长的SiO 是非晶的 2 熔点：1732C (晶体结构) 质量密度：2.21 g/cm3 原子密度：2.2×1022 分子/cm3 折射率 n=1.46 相对介电常数＝3.9 4 SiO 的基本性质 2 可以方便地利用光刻和刻蚀实现图形转移 可以作为多数杂质掺杂的掩蔽(B, P, As) 优秀的绝缘性能(1016cm, E 9eV) g 很高的击穿电场(107 V/cm) 电学性能稳定 稳定、可重复制造的Si/ SiO 界面 2 5 SiO 的结构 2 o 2.62A 由Si-O四面体组成：  四面体中心是硅原子, 四个顶角上是氧原子;  四面体之间由Si-O-Si连接;  与两个硅连接的氧原子称为桥联氧或氧桥; 6 热二氧化硅结构 桥联氧 非桥联氧 7 SiO 的晶型 2 按结构特点： 结晶型(crystalline): 石英, 水晶等 8 SiO 的晶型 2 按结构特点： 结晶型(crystalline): 石英, 水晶等 非晶型(amorphous): 热氧化生长； 3 非晶型 （2.21 g/cm ） 结晶型 （2.65 g/cm3 ）