【2017年整理】太阳能电池片丝网印刷知识点汇总.docVIP

出现过一种降级的电池片，是由于刮刀有缺口，造成三根主栅上都有一条突起的刮痕，容易引起包装碎片和焊接碎片，希望各班引以为戒，发现相似的问题，及时更换刮条。 G档分类 1、扩散面放反： Uoc:0.57—0.60 Isc：1左右 Rs:100-200左右 Rsh:10以内，约为1 FF：50以内（30-40） Irve1:12（也有正常的） Ncell:2%左右 主要参数特征：Irev112,Rs100,Isc=1左右。 解释：扩散时下面和背面都成N型，但背面N型扩散的结浅，扩散面放反后，原下面的N型被Al掺杂为P型，原背面的浅结很容易被烧穿。 2、部分扩散： Uoc:0.58—0.60 Isc:3—4 Rs:10—20 Rsh:10以内 FF：50-60左右 Irev1接近12 Ncell:10%左右 主要参数特征：Isc减小，Rsh5,η=10 解释：与上一个情况类似，下面有很多浅的结（被遮住的部分），形成局部烧穿漏电。 3、正面粘有铝浆 Uoc 0.1左右 Isc:3左右 Rs负的 Rsh:0 Irev112 Ncell1% FF:24—25 主要参数特征：Rs=-30mΩ, Rsh=0, Irve112 4、N型片或高度补偿 Uoc 0.02-0.06 Isc:5左右 Rs-20左右 Rsh:0 Ncell：2-3% FF:100—200 主要参数特征：Rs0, Rsh=0, FF100, Irev1=0.03 解释：N型片背面印刷铝浆后成为P+型，下面扩散后形成N+型，从而产生电流。 5、方块电阻偏大 Uoc 0.60-0.61 Isc:4左右 Rs:20左右 Rsh:10-20 Ncell：10%左右 FF:50—60 Irev1接近1 主要参数特征：Rs偏大, Isc偏小, Rsh偏小 解释：方块电阻不均的直接影响就是薄层电阻，此外应为方块电阻偏大，致使薄层电阻偏大，串联电阻增大。 6、方块电阻偏小 Uoc 0.2左右 Isc:3左右 Rs:-0.07左右 Rsh:0.2以下 Ncell：1%左右 FF:24多一点 Irev112 7、没有扩散 Uoc 0.0002左右 Isc:0.03左右（正常偏低） Rs=0或为负 Rsh10或为0 Ncell：为0 FF:300-800 Irev1接近12或大于12 主要参数特征：电压和电流基本为0，串联电阻为0. 解释：没有P-N结。 8、银浆混合不均匀 Uoc 0.62左右 Isc:4.8左右 Rs=3-6 Rsh：60-90 Ncell：10%左右 FF:50左右 Irev10.2 主要参数特征：串联电阻偏大，短路电流偏小，并联电阻偏大 解释：玻璃粉偏少，银不能与硅充分结合，从而增大了串联电阻。并联电阻的增大是由于复合中心的减少（一般在金属电极与硅接触的地方会形成复合中心）。 9、刻蚀未刻透 Uoc 0.57左右 Isc:1左右 Rs=0左右 Rsh：1-2 Ncell：1-2%左右 FF:30-40 Irev112 10、刻过，将PN结腐蚀掉了。Irev1很大。 11、不明原因 Uoc 0.4-0.5 Isc:0.6-0.8 Rs:-2000左右 Rsh：1-4 Ncell：1左右 FF:30-40 Irev112 主要参数特征：Rs1000mΩ, Irve112 解释：应为严重烧穿。 特殊：Uoc,Isc,Rs,Rsh,η,FF,Irve112 12、测试异常：Rs值达到数千，这应该是软件问题。重装软件时，DB和DATA不用拷贝，其它文件直接覆盖，Irev1=0，应该是反向偏压设置错了。 13、周边未刻蚀。Rsh1,Irev112 排查G档片原因的步骤： 1、看电性能参数，然后对照G档片原因分析表，看一下是否以前曾出现过类似情况，不过G档片分析表只能做为参考，不应当作证据指证任何工序。 2、观察外观是否有异常，如下： ①背场是否有滚轮印（4条），判断是否为RENA刻蚀不透。 ②观察是否为击穿和隐裂。 ③观察是否有边缘漏浆的现象。 ④观察是否背电极印偏的现象。 ⑤观察是否有微晶现象（1厘米内的晶粒数多于10个）。 ⑥观察是否有手指印现象。 ⑦观察是否有断栅的现象。 ⑧观察背场