铝互连线的电迁移问题及超深亚微米技术下的挑战-物理学报.pdf

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 !% %%) !% ， ， ， J4 * I * !% K=LM6N %%) （ ） !%%%1#(%@%%)@ !% @’’1!! ?BC? DEFGHB? GHIHB? %%) B:37 * D:OP * G= * 铝互连线的电迁移问题及超深亚微米技术下的挑战 ））） ））） ） 张文杰! # $ 易万兵! # 吴 瑾# !）（中国科学院上海微系统与信息技术研究所，上海 %%%% ） ）（中国科学院研究生院，北京 !%%%’( ） # ）（上海宏力半导体制造有限公司，上海 %!%# ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） %%) ) %%) # 铝互连线的电迁移问题历来是微电子产业的研究热点，其面临的电迁移可靠性挑战也是芯片制造业最持久和 最重要的挑战之一 从 世纪 年代开始，超深亚微米（特征尺寸 ）铝互连技术面临了更加复杂的电迁 * % (% !% + !, - ! 移可靠性问题* 从电迁移理论出发，分析概括了铝互连电迁移问题的研究方法，总结了上世纪至今关于铝互连电迁 移问题的主要经验；最后结合已知的结论和目前芯片制造业现状，分析了当前超深亚微米铝互连线电迁移可靠性 挑战的原因和表现形式，提出了解决这些问题的总方向* 关键词：电迁移，铝互连，微结构 ： ， !## ))#%. )’,%/ 热能力，稍大的电流强度就会导致保险丝熔断而断 ［］ !+ 引 言 路，因而从不出现电迁移现象! * 集成电路芯片中的 金属连线则不同：它们有良好的散热环境，通常能够 微电子芯片或称半导体集成电路已经成为人们 承受高达 （约为普通家用电线承受极限的 !% ?@ =- 日常生活不可或缺的组成部分，其保持正常工作状 !%% 倍）以上的电流强度和由此导致的大约 !%% A ［］ 态的能力，即可靠性也越来越重要 芯片是将数千万 ! * 的高温 在高温下，金属离子变得“活泼”了，大量 * 甚至数亿个晶体管通