硅雪崩光电二极管单光子探测器-ourdevcn网页不存在.pdfVIP

／—、 、 ／f z 一 第 29卷第 12期 t 乍 弘 。№ 2000年 12月 ACTA PHOTONICA SINICA December200( 硅雪崩光电二极管单光子探测器 墨 是一整 梁 冰 吴令安 (中国科 学院物理研 究所光物理开放实验室 ，北京 603—15信箱 100080) Entail：qo@aphy．iphy．ac．cn T 乙 摘 要 将硅雪崩光电二极管应用于盖革模式下，制作 出高量子效率、低噪音、短死时间的单 ~L-t-探测器 ．设计并制作 了雪崩抑制电路，获得探稠{器特性参量为无源抑制方式下死时问 lVs，有源抑制下 60~80ns，输出脉冲宽度 15~20ns．并详细检测 了探刹器直到液氮温度下 的特性 ．观察到一些新现象 ． 关键词 雪崩光电二极管 ；雪崩抑制 ；盖革模式； 0 引言 在量子通信等量子光学实验中，需要高效 、低 某一 瞬间 ，pn结 内没有任何 电子或空穴 ，雪崩 就 噪音的单光子探测器 ．通常使用 的光 电倍增 管 会被抑制 ．根据抑制方式的不 同APD盖革模式 (PMT)在近红外波段 的量子效率太低，而硅雪崩 下 的应用类 型分为两种：无源抑 制 和有源抑 光电二极管 (APD)在此波段的量子效率高、增益 制 ．在计 数率要求不高的情况下采用无源抑 大 ，同时也能覆盖可见区 ．通常APD是应用在工 制 ，在量子通信等计数率要求 高的实验中需采 用 作 电压低于雪崩 电压 的情况下 ；本文报道的APD 有豫抑 制 ． 应用方式则是在工作 电压高于雪崩 电压 的情况 本文描述 了硅 APD无源、有源抑制条件 下 下 ，即所谓盖革模式 ．国外现已有 APD这种应用 作单光子探测器的行为 ．可以看出盖革模式下工 方式的商品 ，但价格昂贵 ．我们 自己研制有关设 作 的硅 APD替代庞大、脆弱、贵重的 PMT 的优 备，并首次进行液氮温度下的实验 ，在 国内首次制 势，它不仅在量子光学、光谱学、光学传感器等实 作了近红外单光子探测器 ． 验研究方面而且在通信、军工等方面有重要应用 当APD 的工作 电压 逐渐逼近雪崩 电压时， 前景 ．本文介绍 的探测系统是作者为 “量子密钥 理论上雪崩因子 将趋于无穷大 ；实际上，当工 分发”实验而研制 的，运转 良好 ．限于篇幅 ，将基 作 电压小于雪崩值时， 到 1000左右就会饱和 ． 本理论分析略去，主要报道实验工作 ． 只有在盖革模 式下 ，即工作 电压高于雪崩击穿 电 1 无源抑制方式 压时， 才能大到足以捕捉单光子 ．在盖革模式 下，噪音也变得很大，因此必须降低工作 温度 ，以 如图 1所示 ，无源熄灭 电路是 由一个大 电阻 蛹 减少噪音 ．另外，还必须在一个光子触发了雪崩 R 与 APD 简单 串联构成 ，单 光子产生的雪崩 电 后停止它 ，否则雪崩继续下去 ，探测器无法接收下 脉冲信号从一个 50n阻抗 R 上引出 ．它 的等效 一 个光子 ．因此 ，尽量缩短死时间，才能提高光子 电路 图在右边 ．APD可 以看作一个理想 的光控 探测率 ．在很大的 下 ，只要 pn结里存在一个 开