微电子材料与制程 第六章 显影技术.pdfVIP

第六章 微影技术 6-1 简介 微影术(Lithography)在半导体制程上较狭义之定义，一般是指以光子束经由图罩(Mask, Reticle)对晶圆(Wafer)上之阻剂照射；以电子束、离子束经由图罩、图规(Stencil)对阻 剂照射；或不经由图罩、图规，对阻剂直接照射（直写），使阻剂产生极性变化、主链断链、 主链交连等化学作用，经显影后将图罩、图规或直写之特定图案转移至晶圆。此特定之图案 可供后续制程，如离子布植、金属蒸镀，电浆蚀刻之用。较广义的微影技术则包含了上述后 续制程。微影技术可以可见光(Visible)、近紫外光(Near Ultra-Violet, NUV)、中紫外光 (Mid UV, MUV)、深紫外光(Deep UV, DUV)、真空紫外光(Vacuum UV, VUV)、极短紫外光 (Extreme UV, EUV)、X-光(X-Ray)等光源对阻剂进行照射；或以高能电子束(25 ~ 100 keV)， 低能电子束( ~ 100 eV)，镓离子(Ga+)聚焦离子束(10 ~ 100 keV)对阻剂进行照射。光学相 关波长范围整理如图6-1-1以供参考。 图6-1-1 随着半导体集成电路之积体层次的快速增加，微影技术所要求的线幅宽度也越来越小。 制造64兆位(64 Megabit)动态随机存取内存(DRAM)的设计准则(Design Rules)最小线幅宽 度约为0.35微米；256兆位约为0.25微米；10亿位(1 Gigabit)约为0.18微米；40亿位 (4 Gigabit)约为0.15 ~ 0.13微米。 低压及高压汞(Hg)或汞-氙(Hg-Xe)（氙音仙）弧灯(Arc Lamp)在近紫外光波长范围 (350~450奈米)有二条光强度甚强之发射光谱线，即436奈米之G-线与365奈米之I-线。 此两波长为目前照射步进机之主力机种。以I-线为例，传统微影制程，其解像度大致在 0.35～0.30微米间；如搭配使用特殊制程，如偏轴发光(Off-Axis Illumination, OAI)； 相移图罩(Phase-ShiftingMask, PSM)；表层成像(Top Surface Imaging, TSI)；含光酸之 化学放大型阻剂(Chemically Amplified Resist, CAR)；活性离子蚀刻(Reactive Ion Etching, RIE)；电子回旋共振(Electron Cyclotron Resonance, ECR)、螺旋波(Helicon Wave)等低压及高密度电浆蚀刻；化学机械磨平(Chemical Mechanical Polishing, CMP)等， 解度当可推进至0.30 ~ 0.25微米。光学微影改善微影质量方法综合归纳如图6-1-2。 图6-1-2 光学微影解像度最终极限在何处，一直有争议。G-线与I-线步进机在半导体制程上已 属黄昏机种，接替波长为248奈米氟化氪(KrF)准分子(激双子)雷射，解像度在0.25 ~ 0.18 微米。接替248奈米者为193奈米氟化氩(ArF)雷射，解像度约在0.18 ~ 0.13微米。193 奈米之后，接替波长可能为末代光学之157奈米氟(F2)雷射，解像度约在0.13 ~ 0.08微米。 在此之后，当进入后光学微影(Post-Optical Lithography)新纪元，何种机种能脱颖而出， 成为后光学微影主力机种，目前尚不明朗，主要视美、日半导体业界之决策。一般而言，可 能有下列五种选择：一为波长13奈米之钕：钇铝红榴石(Neodymium: Yttrium Aluminum Garnet, Nd:YAG)雷射诱发电浆之极短紫外光(Extreme UV)(亦称为点光源X-光、软X-光)， 解像度约在0.15微米；二为波长0.8奈米为主之密实尺寸(Compact Size)同步辐射X-光（硬 X-光），解像度约在0.1微米；三为具高电子亮度场发射电子源之单元投影式(Cell Projection)电子束微影，图案之缩小投影(Reduction Projection)功能可达20 ~ 30倍， 解像度约在0.1微米；四为限角度散射投影式电子束微影(Scattering with Angular Limitation Projection Electron Beam Lithography, SCALPEL)，亦可缩小投影，解像度 约在0.07微米；五为离子束投影式微影(Ion Projection Lithography, IPL)，