原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
开关模拟中的应用3
第 32 卷 第 4 期 西 安 交 通 大 学 学 报 Vol. 32 №4
1998 年 4 月 JOURNAL OF XI′AN J IAO TON G UN IV ERSIT Y Apr. 1998
Monte Carlo 方法在高倍增 GaAs 光电导
开关模拟中的应用
施 卫 梁振宪 冯 军
(西安交通大学 ,710049 ,西安)
( )
摘要 在 GaAs PCSS′s 的模拟中引入了 Monte Carlo 方法 ,重点对非线性模式中锁定 Lockon 效
应发生的机理及其阈值条件进行了计算分析. 结果表明 , 阈值条件与器件材料的性质、偏置电场和
激励光脉冲能量等因素密切相关. 在与 NDR 相对应的偏置电场范围内 ,Lockon 效应的发生有最
低的光能要求. 文中将这些结果与实验数据进行了对比分析和讨论.
关键词 脉冲功率技术 GaAs PCSS′s Lockon 效应 Monte Carlo 方法
中国图书资料分类法分类号 TM836
Monte Carlo Simulation of HighGain GaAs Photoconductive
Semiconductor Switches
S hi Wei L ian g Zhenxian Fen g J un
(Xi ′an Jiaotong University , 710049 , Xi ′an)
Abstract A Monte Carlo simulation method was developed to characterize the transition in pulsed
laser triggered highgain GaAs PCSS′s. The results indicate that the lockon effect originates from the
avalanche ionization induced by the space charge field of accumulation of electrons and holes in GaAs.
The threshold condition is relevant to the material properties , biased field , and pulsed optical energy.
In the regime of GaAs , there is a minimal requirement of optical energy.
Keywords pulsed power technology GaAs PCS S ′s lockon ef f ect Monte Carlo method
( ) 子学而且在大功率脉冲产生与整形技术领域成为传
半导体光电导开关 简称 PCSS′s ,见图 1 是利
( ( )
用超快脉冲激光器与光电导体 如 : Si , GaAs , InP 统开关 间隙放电、闸流管及结器件 最有希望的换
)
文档评论（0）