.1 半导体三极管.pptVIP

* 放 大 条 件 内因：发射区载流子浓度高、 基区薄、集电区面积大 外因：发射结正偏、集电结反偏 3. 电流关系 IE = IC + IB IC = ? IB + ICEO IE = (1 + ?) IB + ICEO IE = IC + IB IC = ? IB IE = (1 + ? ) IB * 4. 特性 iC / mA uCE /V 100 μA 80 μA 60 μA 40 μA 20 μA IB = 0 O 3 6 9 12 4 3 2 1 O 0.4 0.8 iB / ?A uBE / V 60 40 20 80 死区电压(Uth)： 0.5 V (硅管) 0.1 V (锗管) 工作电压(UBE(on) ) ： 0.6 ? 0.8 V 取 0.7 V (硅管) 0.2 ? 0.3 V 取 0.3 V (锗管) 饱 和 区 截止区 * iC / mA uCE /V 100 μA 80 μA 60 μA 40 μA 20 μA IB = 0 O 3 6 9 12 4 3 2 1 放大区 饱 和 区 截止区 放大区特点： 1)iB 决定 iC 2)曲线水平表示恒流 3)曲线间隔表示受控 * 5. 参数 特性参数 电流放大倍数 ? ? ? = ? /(1 ? ? ) ? = ? /(1 + ? ) 极间反向电流 ICBO ICEO 极限参数 ICM PCM U(BR)CEO uCE O ICEO iC ICM U(BR)CEO PCM 安 全 工 作 区 = (1 + ?) ICBO * 二、晶体管电路的基本问题和分析方法 三种工作状态 状态 电流关系 条 件 放大 I C = ? IB 发射结正偏 集电结反偏 饱和 I C ? ? IB 两个结正偏 ICS = ? IBS 集电结零偏 临界 截止 IB 0, IC = 0 两个结反偏 判断导通还是截止： UBE U(th) 则导通 以 NPN为 例： UBE U(th) 则截止 * 判断饱和还是放大： 1. 电位判别法 NPN 管 UC UB UE 放大 UE UC ? UB 饱和 PNP 管 UC UB UE 放大 UE UC ? U B 饱和 2. 电流判别法 IB IBS 则饱和 IB IBS 则放大 * 4.1 半导体三极管 4.3 放大电路的分析方法 4.4 放大电路静态工作点的稳定问题 4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 4.2 共射极放大电路的工作原理 4.6 组合放大电路 4.7 放大电路的频率响应 * 4.1　双极型半导体 三极管 4.1.1 晶体三极管 4.1.2 晶体三极管的特性曲线 4.1.3 晶体三极管的主要参数 一、基本结构 * 由两个背靠背的PN结构成。 有三层半导体，三个电极、三个区、两个结。 内部有电子和空穴两种载流子参与导电的晶体管。 4.1.1 晶体三极管 (Semiconductor Transistor) * 分类： 按材料分： 硅管、锗管 按功率分： 小功率管 500 mW 按结构分： NPN、 PNP 按使用频率分： 低频管、高频管 大功率管 1 W 中功率管 0.5 ?1 W * 一、基本结构 1? NPN型 N N P C B E C E B 集电极 基极 发射结 集电结 发射区 集电区 基区 发射极 NPN型晶体管的结构示意图 图形符号 * 2? PNP型 P P N C B E C E B 集电极 基极 发射结 集电结 发射区 集电区 基区 发射极 PNP型晶体管的结构示意图 图形符号 按半导体材料不同分为： 锗管和硅管， 硅晶体管多为NPN型， 锗晶体管多为PNP型。 * 结构特点： ? 发射区的掺杂浓度最高； ? 集电结面积发射结面积； ? 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。 管芯结构剖面图 * 工作状态 放大 饱和 截止 e结正偏 c结反偏 e结正偏 c结正偏 e结反偏 三种组态： A.共射极接法:射极作为公共电极，用CE表示； B.共基极接法:基极作为公共电极，用CB表示。 C.共集电极接法：集电极作为公共电极，用CC表示 * 二、电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB