大功率微波真空电子学技术进展-北京玛格泰克科技发展有限公司.PDFVIP

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2018-08-17 发布于天津
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大功率微波真空电子学技术进展-北京玛格泰克科技发展有限公司

3 V ol. 34 N o. 3 2006 3 ACTA ELECTRON ICA SINICA M ar. 2006 廖复疆 (, 100016) : , , 30. (M PM ); , . : ; ; ; : TN72 : A : ( 2006) T chnicalAdvanc of th Vacuum M icrowav El ctronics LIAO Fujiang ( The E lectronic 12th Institute ofCETC, Beijing, 100016, China) Abstract: The advance of the vacuum m icrowave electronics in recent 10 years has been described in this pa per. The vacuum m icrowave electron dev icesw ill continue to be used in the defense e uipm ents in the future 30 years andmore longer. The high powerTWTs, m icrowave pow ermodules (MPM) , multibeam klystrons, gyrotrons and vac uum m icroelectron devices are still the key devices form ilitary e uipm ents. The combination orm ix ing of the vacuum electron devices and sem iconductor dev ices w ill create a new generation of high power m icrowave electron dev ices, which w illhave features from both sides. K y words: high power; m icrow aves; vacuum; electron device 2 1 680A / cm , 10A / cm2 [11~ 13] . MEMS LIGA 1906 100 , , , [ 14] . , . 2 , 30 . [1, 2] , . , , , 3 . . , , , . 1 . 94GHz , 300GHz 500GH z, 2 ~ [1, 3] [ 4] 18GHz , 10% .