微电子概论复习资料.docVIP

一、填空题： 1、半导体的硅单晶属于 金刚石 结构。通常IC所用的硅片是沿硅单晶的 （100）面切割的。 2. 一种半导体材料如果没有掺杂任何杂质，这种材料称为 本征 半导体。半导体中的载流子包括多子 和 少子 。P型Si半导体中多数载流子为 空穴 ，少数载流子为 电子 。 3. P-N结二极管的击穿现象可以按照击穿机理分为 雪崩 击穿、隧道击穿。 6. 集成电路制造工艺按照制造有源器件不同可分为双极集成电路工艺和 MOS集成电路 工艺。 7. SOC的中文简称为系统芯片。 8．光电子器件是 光子 和半导体中的 电子 相互转换的半导体器件。光子、电子 （1）本征载流子浓度表达式n=p=ni且n?p=ni2 （2）质量作用定律表达式:_________， （3）半导体基本方程表达式 P35共5个 ， （4）PN结是动态电荷的平衡区，（5）PN结正向偏置时以扩散电流为主形成导通，反向偏置时以漂移电流为主形成截止。 跨导定义： 特征尺寸： 耗尽层： 质量作用定律的证明： 掺杂半导体中产生率与空穴浓度和电子浓度有关，那么有： 在热平衡状态下，平衡载流子产生率和复合率相等，所以： 复合率 对于本征半导体有 热平衡状态下，掺杂半导体载流子都是由本征激发产生的，有 故有， 书上课后题两个： （图片均可放大） 空穴是怎么形成电流导电的？ 如果共价键中的电子获得足够的能量，它就可以摆脱共价键的束缚，成为可以自由运动的电子。 这时在原来的共价键上就留下了一个缺位，因为邻键上的电子随时可以跳过来填补这个缺位，从而使缺位转移到邻键上去，所以，缺位也是可以移动的。这种可以自由移动的空位被称为空穴。半导体就是靠着电子和空穴的移动来导电的。 施主掺杂是高价替代低价还是反之？ 当半导体中掺入施主杂质，并主要靠施主提供的电子导电 有源器件：内部需要电源的器件，用作信号放大转换；无源器件：内部不需要电源的器件，用作信号传输 摩尔定律：集成电路的发展工艺每三年升级一代，集成度每三年翻二番、特征线宽约缩小30CPU为代表）的工作频率提高约30％ 平面工艺：在Si半导体芯片上通过氧化、光刻、扩散、离子注入等一系列流程，制作出晶体管和集成电路器件和电路都是在芯片表面一层附近处，整个芯片基本上保持是平坦 氧化工艺中氧化硅层的主要作用：1.在MOS电路中作为MOS器件的绝缘栅介质，器件的组成部分2.扩散时的掩蔽层，离子注入的(有时与光刻胶、Si3N4层一起使用)阻挡层3.作为集成电路的隔离介质材料4.作为电容器的绝缘介质材料5.作为多层金属互连层之间的介质材料6.作为对器件和电路进行钝化的钝化层材料光刻步骤（参照书上的概念，此处不准确）：涂胶--曝光--显影(气相涂底-旋转涂布-软烤-对准及曝光-曝光后烘烤-显影-硬烤-显影后检查) 材料：光刻胶--树脂.感光剂.溶剂.添加剂（正胶：曝光前不可溶，曝光后 可溶 负胶：曝光前 可溶，曝光后不可溶） 计算题：已知npn型双极型晶体管采用共发射极连接，其电压扩大倍数为12，功率放大倍数为588，测得基极电流Ib=80uA。求：1、画出电路图，标出Ib、Ie、Ic的方向2、求器件放大倍数β以及共基极连接的放大倍数α3、求Ic、Ie半导体器件有双极型(BJT)、结型(FET)、和绝缘型(MOS)几种，BJT是通过基极电流来控制集电极电流而达到放大作用的，而FETMOS是靠控制栅极电压来改变漏源电流，所以说BJT是电流控制器件，而FET和MOS是电压控制器件。比较JFET与MOS FET结构的主要区别。 （1）MOSFET的输入阻抗更加高于JFET。（2）MOSFET对于静电放电（ESD）的抵抗能力较差，因此在MOSFET的输入端往往需要设置防止ESD破坏的二极管等元器件。（3）JFET一般是耗尽型的器件，而MOSFET可以有增强型器件。因此，在使用时，JFET的栅极只能外加反向电压，对于正向的输入电压则不能正常工作。MOSFET由于既有耗尽型、也有增强型，则输入电压信号较大时也能够正常工作。4）JFET的噪声性能优于MOSFET。因为JFET的沟道是在体内，则不存在MOSFET那样的由于表面或界面所引起的1/f噪声。所以JFET的低频噪声很小。 第一章 绪论 1、微电子学里，一些英文缩写词比如IC、VLSI 分别指（集成电路、超大规 模集成电路）。 2、微电子学作为电子学的一门分支学科，其核心是（集成电路 ）。 3、由于集成电路的原材料主要是（硅），因此有人认为，从20 世纪中期， 人类进入了继石器时代、青铜器时代、铁器时代之后的（硅器时代）。 4、1965 年，Intel 公司创始人Gorden E.Moore 提出了著名的尔定律（集成 电路的集成度，每隔1