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2017-10-07 发布于湖北
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ch3数字集成电路

数字集成电路数字集成电路 —— 电路、系统与设计 I —— 电路、系统与设计 D C 第三章器件第三章器件 1 1 EE141 2nd © Digital Integrated Circuits Devices 本章的目标 I 本章的目标 D C  定性了解MOS器件  用于手工分析的简单器件模型  用于SPICE模拟的器件模型  未来的发展趋势数字集成电路的基石：MOS管需要考虑的：二极管、互连线模型：IC设计分析问题、简化问题的有效手段 2 © Digital Integrated Circuits2nd Devices 二极管二极管 I D C •反偏隔离作用 •保护一维简化 3 © Digital Integrated Circuits2nd Devices 耗尽层 I 耗尽层 D C 浓度梯度电场内建电势 Φ= Φln[N N /n 2] 0 T A D i Φ=26mV T 4 © Digital Integrated Circuits2nd Devices 正向偏置 I 正向偏置 D C ) 2 W ( n