第六章mos场效应晶体管12.pptVIP

阈值电压是MOSFET最重要的参数之一，理想的阈值电压如式 6.3.3 阈值电压控制 然而，当考虑固定氧化层电荷以及功函数差时，将会有一平带电压偏移．除此之外，衬底偏压同样也能影响阈值电压．当一反向偏压施加于衬底与源极之间时，耗尽区将会加宽，欲达到反型所需的阈值电压必须增大，以提供更大的Qsc。 对阈值电压有影响的各项参数如下： 其中VBS为反向衬底-源极偏压 。 精确控制集成电路中各MOSFET的阈值电压，对可靠的电路工作而言是不可或缺的． （1）可通过将离子注入沟道区来调整阈值电压 如：穿过表面氧化层的硼离子注入通常用来调整n沟道MOSFET的阈值电压．这种方法可以精确地控制杂质的数量，所以阈值电压可得到严格的控制．带负电的硼受主增加沟道内掺杂的水平，因此VT将随之增加．相同地，将少量的硼注入p沟道MOSFET，可降低VT的绝对值．右图为不同掺杂浓度的VT。 例6：对一个NA＝1017cm-3与Qf/q＝5×1011cm-2的n沟道n+多晶硅-SiO2-Si的MOSFET而言，若栅极氧化层为5nm，试计算VT值．需要多少的硼离子剂量方能使VT增加至0.6V?假设注入的受主在Si-SiO2界面形成一薄电荷层． 解： 由 设VBS=0 ，得 硼电荷造成平带电压漂移qFB/Co，因此 （2）改变氧化层厚度来控制VT 随着氧化层厚度的增加，n沟道MOSFET的阈值电压变得更大些，而p沟道MOSFET将变得更小些．对一固定的栅极电压而言，较厚的氧化层可轻易地降低电场强度. 例7：若例6中的栅氧化成厚度增加为500nm，其VT=? 解： 此时 而其它各量与例6相同，故 （3）功函数差和衬底偏压调整阈值电压 因衬底偏压所导致阈值电压的变化（变化量）为： 假如画出漏极电流对VG的图形，则VG轴的截距即为阈值电压。 随着衬底电压VBS由0V增至2V，阈值电压亦由0.56V增至1.03V．阈值电压提升较大． 解： 例8：针对例６中阈值电压VT为-0.02V的MOSFET器件，假如衬底电压由0V增加至2V，试计算阈值电压的变化量． （4）选择适当的栅极材料来调整功函数差是另一种调控VT的方法。 如W、TiN、重掺杂的多晶硅-锗层等导电材料。 然而，对于深亚微米器件的制作，由于受到器件按比例缩小所导致的几何效应影响，阈值电压以及器件特性的控制越来越困难。 在深亚微米的器件制作中，采用其他栅极材料来取代传统的n+多晶硅，可使器件设计更有弹性。 在集成电路中,较小的器件尺寸可达到较高的器件密度．此外，较短的沟道长度可改善驱动电流(ID～1/L)以及工作时的特性．然而，由于器件尺寸的缩减，沟道边缘( 如源极、漏极及绝缘区边缘 )的扰动将变得更加重要．因此器件的特性将不再遵守长沟道近似的假设． 前面所得到的阈值电压是基于渐变沟道近似（亦即衬底耗尽区内的电荷仅由栅极电压产生的电场所感应）推导得出的，即VT与源极到漏极间的横向电场无关． 然而，随着沟道长度的缩减，源极与漏极间的电场将会影响电荷分布、阈值电压控制以及器件漏电等器件特性． 6.4.1 短沟道效应(short-channel effect ) 6.4 MOSFET按比例缩小 当沟道的边缘效应变得不可忽略时，随着沟道的缩减，n沟MOSFET的阈值电压通常会变得不像原先那么正；而对于p沟MOSFET而言，则不像原先那么负。下图显示了在VDS=0.05V时VT下跌的现象． 一、线性区中的阈值电压下跌( Vth roll-off ) 在0.15μm CMOS场效应晶体管技术中的阈值电压下跌特性 阈值电压下跌可用如图所示的电荷共享模型来加以解释，此图为一个n沟道MOSFET的剖面图，且器件工作在线性区(VDS≤0.1V)，因此漏极结的耗尽区宽度几乎与源极结相同．由于沟道的耗尽区与源极和漏极的耗尽区重叠，由栅极偏压产生的电场所感应生成的电荷可用这梯形区域来近似等同． 阈值电压漂移量ΔVT是因为耗尽区由长方形(L×Wm)变为梯形[(L+L’)Wm/2]，而使得电荷减少所造成的ΔVT为： 其中NA为衬底的掺杂浓度，Wm为耗尽区宽度，rj为结深度，L为沟道长度，而Co为每单位面积的栅极氧化层电容． 电荷共享模型的说明 当短沟道MOSFET的漏极电压由线性区增至饱和区时，其阈值电压下跃将更严重．此效应称为漏场感应势垒下降．数个不同沟道长度的n沟道器件的源极与漏极间的表面电势如图所示，点线为VDS=0，实线为VDS0．当栅极电压小于