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第五讲1、为了调试电路方便，拟制做一个能利用6F22型层叠电池（数字万用表电池V=9V）供电，由LM336-5基准电压器件（自行查阅相关资料）稳压，输出电阻=100Ω，用带度盘可调整10圈的电位器调整输出电压为0~5V的电路。提示：LM336-5的输出电压虽制造时经过激光校准，仍可能有±1%的容差。LM324 通用运放，3~30V单、双电源供电2、试设计一个带宽为20Hz~20kHz，输出电压Vi(min)=10mV，G=400，输入电阻=100kΩ，输出电阻=600Ω的放大器（2009年数字幅频均衡功率放大器（F题）中的前置电路）。增益A的确定单位增益带宽或增益带宽积。指的是当运放的闭环增益为1（即0dB）时的带宽，如图所示。一般增益与带宽的乘积为一常数，故闭环增益愈高，实际运放电路的带宽愈小。运放的实际BW（Band Width）主要由芯片内部器件的高频特性、电路以及输入信号的大小决定。BW=fh-fl≈fh若由单级完成放大，则增益带宽积必须≧400×20kHz=8MHz(信号带宽)，实际信号带宽约为闭环带宽的1/2~1/10，因此器件的BW必须≧80MHz,常用运算放大器不易选择。若由两级放大完成，则A=Af1×Af2，Af1=20，Af2≧20即可。此时设单级fh≈30kHz,闭环带宽为600kHz,BW≈6MHz,以选择OP37（BW=62MHz）为好。多级放大器总增益与总带宽的计算。电源电压的确定电源电压由信号最大输出幅度决定。uomaxpp=A×uimin×1.414=410×0.005×1.414=3.18V。考虑到一般运算放大器在供电电源电压的70%即产生限幅，故电源电压至少应大于3.18/0.7=4.5V，因此电源电压可取为±5V。如果考虑与功率放大器同时供电，也可取为±15V。电源去耦原理应用：每片数字IC的VDD-GND端，就近并102~104pF电容（消除尖峰电流）；多级高增益放大器的前级必须加；每片PCB电源入口必须加；由于题目对前置放大器的输入电阻未提要求，故可采用输入电阻较低的反相放大电路，只需在输出端串联一只600Ω的电阻即可满足输出电阻的要求。3、制作功率放大电路，对数字均衡后的输出信号v3进行功率放大，要求末级功放管采用分立的大功率MOS晶体管。（1）当输入正弦信号vi电压有效值为5mV、功率放大器接8电阻负载（一端接地）时，要求输出功率≥10W，输出电压波形无明显失真。（2）功率放大电路的-3dB通频带为20Hz～20kHz。（3）功率放大电路的效率≥60％。（2009年数字幅频均衡功率放大器（F题）中的发挥部分）D类功率放大器D类（数字）功率放大器的最大特点是将输入正弦信号调制为PWM波，经VMOS管放大，再滤波后输出。由于功率放大管工作在开关状态，η可达95%以上。乙类OCL功率放大器乙类功率放大器的η，理论上可达78.5%,考虑到减少交越失真，使工作点略偏甲乙类，η≧60%应不困难。且电路成熟、简单，无高频分量，失真也小，应该是最便捷的方案。输出电压的计算：uom=√PRL=8.9V。功率放大器总增益：Af=uom/ui=4.25。取W1=10k。电源电压的计算：乙类功率放大器的Pomax=VDD2/2RL，或VDD=√2PomaxRL=12.64V，取VDD=±15V。VMOS管参数的计算：设η=65%,则两只VMOS管的总管耗2×PT=0.35Pomax=3.5W，每只管管耗PT=1.75W。VMOS管的最大的电流：Iomax=√Pomax/RL=1.2A。由于电路增益很低，故对VMOS管的fH要求不高。VMOS管IRF540、IRF9540的 ID=23A，VDS=100V，PT=150W，fH=16MHz，完全符合要求。为减少失真，及易于调试，也可选用VMOS配对管TN9NP10。4、某仪器为单电源12V供电,拟将直流0.1V的信号放大为10V的输出信号，试设计出电路。单电源供电，Vopmax≈0.7VDD，轨-轨，TLV2241，VDD=2.5V~12V,10kHz，SOIC-8封装，单运放。5、某设备为双电源15V供电,拟将峰值1V、宽度为5μS的理想负脉冲信号，放大为10V的负脉冲信号，要求输出电压误差为±0.5%，前后沿时间小于0.5μS。试设计出该电路。6、试为某ADC设计一个抗混叠低通滤波器，Vimin=0.1mV， Vimax=2.5V，截止频率10Hz，增益为1。7、试设计一个Vo=0~5.0V，Io=0.5A，步进 0.1V的数控稳压电源。8、试设计一个Io=10~1000mA，步进 10mA的数控稳流电源。