特快速瞬态过电压和雷电冲击作用下特高压GIS绝缘特性.pdfVIP

高电压技术 第 38卷 第 2期 2012年 2月 29日 HighVoltageEngineering，Vo1．38，No．2，February29．2012 335 特快速瞬态过电压和雷电冲击作用下特高压GIS绝缘特性 张 璐 ，张乔根 ，刘 石 ，殷 禹 ，时卫 东。，陈维江。 (1．西安交通大学电气工程学院，西安 710049；2．中国电力科学研究院，北京 100192； 3．国家电网公 司，北京 100031) 摘 要：随着 电压等级的提高，气体绝缘开关设备(GIS)的额定雷电冲击 (LI)耐受电压和特快速瞬态过 电压 (VF— TO)水平 的差异越来越小，由VFTO引起 的绝缘事故也 日益严重 。为研究特高压 GIS在 VFTO下的绝缘耐受水 平 ，设计了VFTO模拟产生装置 ，研究了不同气压下 sFs棒一板和球一板 间隙在 VFTO和雷 电冲击下的绝缘特性 。 实验结果表明：稍不均匀电场间隙在VFTO下的击穿电压高于雷电波；对于高气压下棒一板间隙，负极性VFTO下 的击穿电压和伏一秒特性 曲线位于雷 电波之下；雷 电冲击下棒一板 间隙极性效应在一定的气压下会 出现反转现象。 分析表明：在不同冲击波前和振荡波尾的VFTO和雷电波作用下SFe气体间隙击穿特性的差异与放电过程中空间 电荷行为的差异有关 。 关键词 ：特高压 (UHV)；气体绝缘开关设备 (GIS)；特快速瞬态过 电压 (VFTO)；雷 电冲击 (LI)；击穿电 压 ；伏一秒特性 曲线 ；空间电荷 DOI：10．3969／j．issn．1003—6520．2O12．02．012 文章编 号 ：1003～652O(2012)02—0335—07 InsulationCharacteristicsofUHV GISUnderVFTO andLightningImpulse ZHANGLu，ZHANGQiaogen ，LIU Shi，YINYu。，SHIWeidong ，CHENWeijiang。 (1．SchoolofElectricalEngineering，Xi’anJiaotongUniversity，Xi’an710049，China； 2．ChinaElectricPowerResearchInstitute，Beijing100192，China； 3．StateGridCorporationofChina，Beijing100031，China) Abstract：Withincreaseofvoltagelevel，differencebetweentheratedlightningimpulse(LI)andtheveryfasttran— sientovervo|tage(VFTO)levelofgasinsulatedswitchgear(GIS)decreases．InsulationfailurescausedbyVFTO becomeseverer．ToclarifyVFTO withstandlevelof1100kV GIS，wedesignedasimulationsystem forgeneration ofVFTO，andinvestigated thebreakdowncharacteristicsofsphere-planeandrod—planegapsinSF6underVFTO andLIfordifferentgaspressures．Experimentalresultsshow thatthebreakdownvoltagesinslightlyinhomogeneous fieldgapsunderVFTO werehigherthanthoseunderLI．However，fortherod—planegaps，thebreakdownvoltages andvoltage—timecurvesunderVFT0 werelowerthanthoseofLIathigherpressureinthecaseofnegativepol