集成电子技术基础教程(第2版)(上、下册)王小海2篇-1章1.pptVIP

集成电子技术基础教程(第2版)(上、下册)王小海2篇-1章1.ppt

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(c) 混合偏置电路 Rg1和Rg2组成固定偏压电路,Rs为自给偏压,所以整个偏置电路为混合式偏置。 三、信号输入和信号输出电路 输入信号能顺畅、无损失地加到放大器的输入端,并不影响电路的直流偏置。 信号源 阻容耦合方式 电路简单,又不影响静态工作状态。但要放大一定频率的信号时,耦合电容器容量应取的较大。 信号输出 信号源 变压器耦合方式 优点是各级静态工作点互不影响,能实现阻抗变换。缺点是频率特性不好,且非常笨重。 信号输出 * 第二篇 模拟电子电路 本篇基本知识点 半导体三极管如何组成放大电路,分析放大电路的基本方法,为什么放大电路中必须要有工作点,如何计算静态工作点,三种放大电路组态。 本篇是模拟电路的核心篇 典型共射放大电路 2.1.1 怎样分析交直流共存的放大电路 第一章 放大电路分析入门 一、为什么说一个放大电路中是交直流共存的? 信号源 负载 因为当输入信号为零时, 即: 仅存在供电电源VCC,电路为 电路中只有直流量: 加入输入信号 mV后 则各支路电流和电压为一个直流量叠加了一个交变量 V 二、如何分析计算交直流共存的放大电路? 可以用两种方法 图解法 等效电路估算法—线性化等效处理 1.图解法 交直流分别单独作用下进行计算,然后将结果叠加 方法: 已知输入和输出特性曲线,通过作图方法求取电流和电压。 (1) 静态,求: 此时等效电路—直流通路 直流通路 输入回路直流负载线 从输入特性求IBQ、VBEQ 输出直流负载线 从输出特性求ICQ、VCEQ (2) 动态,求: 2.等效电路-用电路模型计算法 条件:已知管子导电时VBE、?值 动态时,输入信号很小,管子仅工作在Q点附近的一小段,故把特性看成线性,用线性电路的方法求解电路中相关的电流和电压。 (1) 静态,求: 此时用直流通路(直流等效电路) (2) 动态,求: 采用交流通路: 电容短路(为什么?),电源短路(为什么?) 晶体管用低频小信号模型代入,求各指标。 这些指标在放大电路的动态分析中解决。 2.1.3 基本放大电路的组成及其静态分析 一、放大电路的基本组成 典型共射放大电路 信号源 负载 右图是一个最基本的共射极放大电路(CE) 放大电路必须具备以下环节: (1)以放大器件(BJT、FET)为核心,配以工作电源和电阻,以保证器件始终工作在放大区。 (2)信号能畅通地加到放大器的输入端,尽量不影响电路的直流工作状态。(信号耦合) (3)经放大后的信号能尽量大的传到负载上,并从负载上取出。 请注意:负载上得到的信号,将比输入信号大的多,这是电源提供的能量,经放大电路控制(变换)后以输入信号的变化规律形式输出,这是放大电路所谓“放大”的真实物理内涵。 二、直流偏置电路的组成和类型 为保证以放大器件为核心的电路能正常放大信号,必须加上合适的供电电源,和偏置电阻,以保证放大器件(晶体管或场效应管)工作在放大区,有合适的发射结、集电结偏置,合适的IB和IC电流。 1.BJT放大电路的直流偏置电路 此时输入为零,即静态,只考虑直流电源作用下的通路 固定偏置 稳定偏置 射极偏置 (a)固定偏置 由图可得:发射结正偏,集电结可以保证反偏(VCVB), 确保了器件工作在放大状态 (b)工作点稳定的偏置电路 电路同样能保证JE正偏,JC反向偏置。 其中: 戴维南等效 ↑ ↑ 该电路能稳定静态工作点的说明: 当温度上升,最终表现为集电极电流IC增大。自动调整过程如下: ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ (c) 射极偏置电路 由于发射极接负电源,所以两个发射极都正向偏置了,集电极电阻较小,可以满足(VCVB)的反偏要求。 2.FET放大电路的直流偏置电路 FET晶体管栅极不取电流,而且漏极电流ID受栅源电压vGS控制,所以栅极电位用分压器组成。 另外各种型号的FET,其栅源电压vGS和漏源电压vDS极性如表所示。 增强型 耗尽型 种类 电压 NMOS PMOS N 结型 P 结型 NMOS PMOS v GS 正 负 负 正 负 ( 或正 ) 正 ( 或负 ) v DS 正 负 正 负 正 负 固定偏压偏置电路 自偏压偏置电路 混合偏置电路 FET偏置电路类型: (a)固定偏压偏置电路 只要Rg1和Rg2及Rd取的合理,能满足VGSVT的导电要求,同时保证VDSVGS-VT,使管子工作在恒流区(放大区) (b) 自给偏压偏置电路 由于是耗尽型NMOS管,栅源电压可以是正(增强型工作模式),也可以是负(耗尽型工作模式) VGS电压靠ID流过源极电阻产生压降自已建立起来的—称自偏压 *

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