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                【4-1】解:
(1)结型,绝缘栅型,多数,单极型。
(2)电压,电流。
【4-2】解:
(a)P沟道增强型MOS管,开启电压,。在工作点、处低频跨导为
    (b)N沟道耗尽型MOSFET,夹断电压,。在工作点、处低频跨导为
【4-3】解:
由图P4.3(b)转移特性曲线可知:。转移特性曲线过点(6V,4mA)和(4V,1mA)。将其参数带入方程:
解得:
由图P4.3(a)可得:
电路的静态工作点计算如下:
低频跨导为
    放大电路的电压放大倍数为
【4-4】解:
将、、代入方程
解得:。
流过、的电流约为0.05mA,则
将、带入方程:
解得:,。
【4-5】解:
          
【4-6】解:
电路的直流通路如图A4.6(a)所示。电路中场效应管为N沟道增强型场效应管,所以
                        
    列写输入、输出回路方程:
                                        
                                                
(1)该放大电路的中频微变等效电路如图A4.6(b)所示。
  
               (a)直流通路                      (b)微变等效电路
图A4.6
(2)电压放大倍数为                
式中
输入电阻为
输出电阻为
    (3)增大后,减小,减小,下降, 和不变。
(4)开路,对静态工作点没有影响。电压放大倍数变为,明显下降。若认为,,开路对和没有什么影响。
【4-7】解:
(1)场效应管是耗尽型,漏极电流为
               
(2)微变等效电路如图A4.7所示。
               
               
                                                   图A4.7
为了显著提高,应在两端并联旁路电容。
【4-8】解:
    (1) 求静态工作点
该放大电路采用耗尽型场效应管分压偏置电路。由于栅极回路无静态电流,所以中无电流。所以,和分压点的电位与栅极电位相等,这种分压偏置可以提高放大电路的输入电阻。由电路得:
                
                
                
    将数据代入方程组,解得:
    第一组:          
    第二组:          
    第二组数据不合理,故静态工作点为:,,。
    (2)求电压放大倍数
微变等效电路如图A4.8(a)所示。
                  
                  
                  
                  
    (3)开路时的电压放大倍数
微变等效电路如图A4.8(b)所示。                 
                              
                              
                              
    于是
            
  
(a) 微变等效电路                               (b) 无的微变等效电路
图A4.8
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