模拟电子技术 杨明欣 2.2.pptVIP

课堂练习 如图5.1所示电路中D1、D2为理想元件，已知ui = 5sinωt（V），试对应ui画出uo的波形图。 * 2.2 特殊二极管及其应用 2.2.1 稳压二极管（Zener Diode ） 一、伏安特性 符号 iZ /mA uZ/V O ?UZ ? IZmin ? IZmax ?UZ ?IZ ? IZ 工作条件：反向击穿 二、主要参数 1. 稳定电压 UZ 流过规定电流时稳压管两端的反向电压值。 2. 稳定电流 IZ 越大稳压效果越好，小于 Imin 时不稳压。 3. 最大工作电流 IZM和最大耗散功率 PZM P ZM = UZ IZM 4. 动态电阻 rZ rZ = ?UZ / ?IZ 一般几 ? ? 几十 ?，越小稳压效果越好。 5. 稳定电压温度系数 CT 【例】分析简单稳压电路的工作原理，R 为限流电阻。 IR = IZ + IL UO= UI – IR R ①当 UI 波动时(RL不变) ? ? ? ②当 RL 变化时(UI 不变) UI UO R RL IL IR IZ 稳压原理：当UI或RL变化时，电路能自动调整IZ的大小，以改变电阻R上的压降，从而保证输出电压UO基本不变！ 【例】图示稳压电路中，已知稳压管参数为VZ＝6V，I Zmin＝5mA，I Zmax＝25mA；负载电阻RL＝600Ω。求解限流电阻R的取值范围。 解：由图可知R上电流IR等于稳压管中电流IDZ和负载 电流IL之和，即IR＝ IDZ＋ IL IDZ ＝ 5～25mA IL＝Uz/RL＝（6/600）A=0.01A=10mA 又因为 R上电压UR=UI－Uz＝（10－6）V＝4V 所以： IR=(15~35)mA 因此： 限流电阻R的取值范围为114～227Ω 2.2.2 其他类型二极管 1. 符号和特性 工作条件：正向偏置 一般工作电流几~十几 mA， 导通电压UF =(1 ? 2) V 2. 主要参数 电学参数：I FM ，U(BR) ，IR 光学参数：峰值波长 ?P，亮度 L，光通量 ? 发光类型： 可见光：红、黄、绿 显示类型： 普通 LED ， 不可见光：红外光 ，点阵 LED 符号 u /V i /mA O 2 特性 七段 LED 一、发光二极管 LED (Light Emitting Diode) 【例】某LED指示电路如图所示，由于LED的正向压降较低，允许的工作电流较小，故其驱动电路中必须串接限流电阻R。由器件手册查得所用LED的参考参数UF和IF，则计算公式如下： 简单的LED驱动电路 3、LED七段数码显示器 二、 激光二极管(Laser Diode) 激光二极管在小功率光电设备中得到广泛的应用，例如，光纤通信、计算机上的光盘驱动器、激光打印机中的打印头、条形码阅读器等 三、光电二极管 （1）符号和特性 符号 特性 u i O 暗电流 E = 200 lx E = 400 lx 工作条件： 反向偏置 （2） 主要参数 电学参数： 暗电流，光电流，最高工作范围 光学参数： 光谱范围，灵敏度，峰值波长 实物照片 　　当PN上的电压发生变化时，PN 结中储存的电荷量　　将随之发生变化，使PN结具有电容效应。 电容效应包括两部分 势垒电容 扩散电容 （1） 势垒电容Cb 是由 PN 结的空间电荷区变化形成的。 (a) PN 结加正向电压 （b) PN 结加反向电压 - N 空间 电荷区 P V R I + U N 空间 电荷区 P R I + - U V 1、PN结的电容效应（了解内容） 四、变容二极管（Variable-Capacitance Diode） 　　空间电荷区的正负离子数目发生变化，如同电容的放电和充电过程。 势垒电容的大小可用下式表示： 　　由于 PN 结 宽度 l 随外加电压 u 而变化，因此势垒电容 Cb不是一个常数。其 Cb = f (U) 曲线如图示。 ? ：半导体材料的介电比系数； S ：结面积； l ：耗尽层宽度。 O u Cb Cb变化趋势图 （2） 扩散电容 Cd ? Q 是由多数载流子在扩散过程中积累而引起的。 在某个正向电压下，P 区中的电子浓度 np(或 N 区的空穴浓度 pn)分布曲线如图中曲线 1 所示。 x = 0 处为 P 与 耗尽层的交界处 当电压加大，np (或 pn)会升高，如曲线 2 所示(反之浓度会降低)。 O x nP Q 1 2 ? Q 　　当加反向电压时，扩散运动被削弱，扩散电容的作用可忽略。 ? Q 　　正向电压变化时，变化载流子积累电荷量发生变化，相当于电容器充电和放电的过程 —— 扩散电容效应。 P N PN 结 综