模拟电子技术 杨明欣 2.3.pptVIP

引言 半导体三极管在电子电路中起着很重要的作用，因而应用很广泛。它可以分为双极型和单极型两种类型。 作业题 P91：判断题1、2 * 2.3.1 晶体管的结构及类型 2.3.2 晶体管的电流放大作用 2.3.3 晶体管的共射V-I特性曲线 1947年12月23日，在贝尔实验室工作的美国科学家巴丁博士、布菜顿博士和肖克莱博士发明，并于1956年获得诺贝尔物理奖。 2.3.4 晶体管的主要参数 2.3　晶体三极管 1947年12月23日 第一个晶体管 NPN Ge晶体管 W. Schokley J. Bardeen W. Brattain 获得1956年Nobel物理奖 晶体管的三位发明人：巴丁、肖克莱、布拉顿 1、双极型半导体三极管通常简称为晶体三极管，也可简称为三极管、晶体管或BJT(Bipolar Junction Transistor )。它有空穴和自由电子两种载流子参与导电。故称之为双极型三极管。 2、单极型半导体三极管通常简称为场效应管，简称FET(Field Effect Transistor )，它只有一种载流子（多数载流子）参与导电。故称之为单极型三极管。 2.3.1 晶体管的结构及类型 1、结构、符号和分类 N N+ P 发射极 E 基极 B 集电极 C 发射结 集电结 — 基区 — 发射区 — 集电区 emitter base collector NPN 型 P P+ N E B C PNP 型 2、分类： 按材料分： 硅管、锗管 按结构分： NPN、 PNP 按使用频率分： 低频管、高频管 按功率分： 小功率管 500 mW 中功率管 0.5 ?1 W 大功率管 1 W E C B E C B 大功率三极管 功率三极管 塑封小功率三极管 3、晶体管的几种常见三极管实物图 贴片封装三极管 高频三极管 2.3.2　晶体管的电流放大作用 以 NPN 型三极管为例讨论 c N N P e b b e c 表面看 　　三极管若实现放大，必须从三极管内部结构和外部所加电源的极性来保证。 不具备放大作用 三极管放大的内部结构要求： N N P e b c N N N P P P 　（1） 发射区高掺杂。利于产生载流子。 　（2） 基区做得很薄。通常只有几微米到几十微米，而且掺杂较少。 　　三极管放大的外部条件：外加电源的极性应使发射结处于正向偏置状态，而集电结处于反向偏置状态。 （3） 集电结面积大。利于收集载流子。 1. 三极管内部载流子的传输过程 1) 发射区向基区扩散多子电子， 形成发射极电流 IE。 I CN 多数向 BC 结方向漂移形成 ICN。 IE 少数与空穴复合，形成 IBN 。 I BN 基区空 穴来源 基极电源提供(IB) 集电区少子漂移(ICBO) I CBO IB IBN ? IB + ICBO 即： IB = IBN – ICBO 3) 反偏的集电区收集扩散过来的载流子形成集电极电流 IC，其能量来自于VCC电源供应。 IC I C = ICN + ICBO 2)电子到达基区后 (基区空穴运动因浓度低而忽略) 2. 三极管的电流分配关系 　　当管子制成后，发射区载流子浓度、基区宽度、集电结面积等确定，故电流的比例关系确定，即： IB = I BN ? ICBO IC = ICN + ICBO IE = IC + IB 穿透电流 近似 【例】已知某放大器中三极管电极电位分别为V1=4.0V， V2=3.3V，V3=12V，试确定B、E、C极，并判断是NPN型还是PNP型管，是硅管还是锗管。 解：V2V1V3 故 VB=V1=4.0V 放大工作时： NPN管 VC ＞ VB ＞ VE PNP 管VC ＜ VB ＜ VE 故中间电位为B极 VB-V2=0.7V ，故 VE=V2 ，VC=V3 ， 且为NPN型硅管 ?UBE ?=0.7V 或 0.2V ?UBE ?=0.7V 为硅管， ?UBE ?= 0.2V为锗管 【例】 ：测量某NPN型BJT各电极对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域？ （1） VC ＝6V　 　VB ＝0.7V　 VE ＝0V （2） VC ＝6V　 　VB ＝3V　 VE ＝3.1V （3） VC ＝3.6V　 VB ＝4V　 VE ＝3.4V 解： 原则： 正偏 反偏 反偏 集电结 正偏 正偏 反偏 发射结 饱和 放大 截止 对NPN管而言，放大时VC ＞ VB ＞ VE 对PNP管而言，放大时VC ＜ VB ＜VE （1）放大区 （2）截止