传热和传质基本原理第七章晶体生长中的输运理论.ppt

第七章 晶体生长中的输运理论 晶体生长发展的基础是相平衡理论，但生长的实际过程却是非平衡态过程。 7.1 输运理论的基本方程 7.1.1 动量输运 7.1.2 对流扩散－质量输运 7.1.3 对流传热—热量输运 7.1.4 算法 7.1.5 流体的压缩性和定常性 7.1.6 连续性方程 7.2 混合传输的动力学方程组 7.3 边界层理论 7.4 输运理论的应用 提拉法生长晶体时晶体中的温度分布 7.4.1 晶体中的温度分布 7.4.2 熔体中的温度场与速度场 7.4.3 稳定状态的生长速率 思考题： 思考题： 5 有效分凝系数的概念 几个问题： （1）平衡分配系数： INTERFACE C0 CS CL k0=CS/CL V0，籽晶回熔 V0，晶体生长 过冷熔体 QC QS QL T O T O T O 7.5 提拉法晶体生长 中的界面翻转 7.5.1 界面反转的概念 晶体生长过程中，当晶体旋转速度和其他生长条件不变的条件下，随着晶体直径的增大，当晶体直径达到某一临界值时，固液界面会由凸形变为平界面或凹界面。这种界面形状的突变被称为界面翻转。 它暗示：流体的流动状态是一个突变过程。 自然对流 强迫对流 S L 界面前沿自然对流占优 S L 界面前沿强迫对流占优 7.5.2 界面反转的临界条件 晶体生长过程中，坩埚中的流体存在两种流动： 1 当由于强迫对流引起的惯性力大于由于流体粘性引起的粘性力时，流体就会产生强迫对流，可以用Re强表示： ?是晶体旋转速度；?熔体运动粘度；d晶体直径。 2 当由于温度差引起的自然对流的浮力大于由于流体粘性引起的粘性力时，流体就会产生自然对流，可以用Gr表示： ?T是温度引起的体膨胀系数；?T为坩埚中心与坩埚壁之间的温度差。 流体由自然对流转变为强迫对流的临界条件为： 或者： dC是流体由自然对流转变为强迫对流时晶体的临界直径。 7.5.3 说明与讨论 1 界面反转产生的原因 界面反转是因熔体流动状态突变所致。 S L 界面前沿自然对流占优 S L 界面前沿强迫对流占优 2 界面反转产生的时期 提拉法生长晶体放肩阶段；转入等径生长阶段；晶体生长结束时，由于坩埚内熔体减少，?T变小，dc相应减小。 3 防止界面翻转的措施 在晶体直径达到dc之前，或晶体生长后期，减小?。 7.6 溶质分凝与质量输运 1 晶体中溶质是如何分布的？ This Chapter 2 溶质是如何影响晶体的生长过程的？Next Chapter 我们将关注于这样两个问题： 7.6.1 分凝与分凝系数 1 分凝 Crystal Liquid INTERFACE C0 CS CL 2 平衡分凝系数 INTERFACE C0 CS CL k0=CS/CL 3 平衡分凝系数的性质 （1）平衡分凝系数仅仅与溶剂和溶质的性质有关 溶质的化学势可表示为 ： 溶质在固相和液相中的化学势分别为 ： ?S0和?L0分别表示固相和液相在标准状态下的化学势 ，a为溶质的活度 。 当固液两相平衡时， 对稀溶液 ： 通常情况下， k0仅仅适用于理想熔体，如Cu－Ni熔体；或稀熔体，即，C0很小时。 （2）平衡分凝系数有三种情况； CL T C0 C0 C0 T T CL CL CS CS CS k01 k0=1 k01 7.6.2 溶质保守系统中的浓度场 1 溶质保守系统 晶体生长过程中，晶体—熔体系统中的溶质总量不变，这样的生长系统称为溶质保守系统。 2 准静态生长过程中的溶质分布 所谓准静态生长过程，是指生长速率十分缓慢的过程，这样就可以把整个生长过程近似作为热力学平衡过程。 k0=CS/CL 在生长过程中，S/L为平面; 忽略凝固时的体积变化及溶质的挥发损失 ； 溶液中的溶质分布完全均匀的，固相中溶质无扩散； k0为常数，且假定k0＜1。 Crystal Liquid z/ dz/ L z/ 界面上溶质守恒： 凝固dz’，排出的溶质量为： 由于溶质排出，导致熔体溶质升高为： CL0 k0CL0 z’ 当： 因此，在生长后期此式已不再适用。 3 溶质的扩散效应 溶液中的溶质传输只是由于扩散而致，即不考虑对流效应； 令单位时间内单位面积的固液界面排泄的溶质为： 式中、CL（0）和Cs分别为固液界面处溶液和固溶体中的溶质浓度，V为晶体生长速率。 固液界面处溶质向液溶中扩散的质流密度为： z/ CS(z/) z v CL(z) k0CLo Clo/k0 CLo CL(z) 包络线 z/L 在固液界面前沿形成了稳态的溶质边界层 ： z/ CS(z/) z v CL(z) k0CLo Clo/k0 CLo CL(z) 包络线 z/L