同等学力通信与信息工程电路部分.pdf

怀念逝去的青春 1. MOSFET 与双极型晶体管的结构与工作原理有什么区别? 双极型结构见图一 由于两种截流子( 电子和空穴)都起作用,故称双极型 场效应管结构见图二 利用电场强度控制半导体导电能力的有源器件,分为绝缘栅型场效应管(IGFET)和结型场效 应管(JFET) 由一种截流子参与导电, 多子或少子 MOSFET 双极型 导电 多子 少子多子 控制 电压 电流 输入输出阻抗 高 低 热特性 好 差 抗电磁辅射 好 差 2. N 沟道MOSFET 和P 沟道MOSFET 的区别是什么? 解;P 沟道MOS 管的构造和原理与N 沟道MOS 管相似,只是PMOS 管衬底为N 型半导体材料.导电沟道是P 型.PMOS 管的栅源电压U-OS 与漏源电压U-DS 和漏极电流I-D 的方向均与NMOS 管相反. 以增强型P 沟MOS 管为例. N 型的多子为电子 P 型 的多子为空穴 见图三 3. MOSFET 的极间电容有那些?它们与双极型的极间电容有什么异同?哪些与电压有关/ 解: 一种是利用PN 结反向偏置时结电容。一种是MOS 电容 PN 结反向偏置时，其结电容与PN 结面积及反向偏置电压大小有关，偏置电压变化时， 其电容量随之改变 MOS 电容是以SIO2 的膜作为绝缘介质的平行板电容，其容量大小和电极面积成正比， 与SIO2 的膜厚度成反比。 与PN 结电容相比，MOS 电容有更多的优点，首先它的两个电极根据需要加正电压和 负电压，应用起来比较灵活。其次MOS 电容的电容比较稳定，与外加电压大小无关。 4. MOSFET 的亚阀区特性有什么特点，它的强反型区特性的主要区别是什么？ 解：实验指出，MOS 管在阀值电压下，沟道区表面仍存在弱反型，称为亚阀区或弱反型区。 当栅压V-GS 小于阀值电压V-T,MOS 管工作在亚阀区。 当栅压V-GS 大于阀值电压时，器件工作在强反型区，它们之间存在着过度区。 如图为NMOS 管漏源电流I-DS 与栅电压关系曲线图 见图四NMOS 管三个工作区示意图 电流坐标为对数坐标，显然阀值电压位于过度区内 由图可以看出，亚阀区漏源电流随栅压的增加而指数增加。 由于亚阀区中沟道截流子密度很小，所以亚阀区电流为扩散电流 相反强反型 时电流为飘移电流。当漏源电压V-DS 相当小时，强反型电流随栅压线性 变化，当V-DS 较大时，强反型电流为饱和电流，其值随栅压平方而变化。 5. 什么情况下要考虑MOSFET 的体效应 解：体效应是指衬底与源极电压对MOSFET 工作特性的影响。表现在改变了MOSFET 的阀 值电压。当V-BS 不等于0 时就要MOSFET 的体效应。 一般应用MOSFET 时，衬底与源极连接在一起，但在集成电路中，许多MOS 管脚都制 做在同一衬底上为了保证衬底与源漏区的PN 结反偏，衬底必须接在电路的最低电位上。（这 是以N 沟道为例，若为P 沟道 ，则衬底应接在最高电位。）若某些MOS 管的源极不能处 在电路最低电位上，则其衬底与源极不能相连，其间就会作用有负的电压，在负值衬底电压 作用下，P 型硅衬底中空间电荷区将向衬底底部扩展，空间电荷中负离子数增多，但是由于 栅源电压不变即栅极正电荷量不变，因而反型层中的自由电子数就必然减小，从而引起沟道 电阻增大，漏极电流减小。即然衬底与源极之间电压与栅源电压一样，也具有对漏极电流的 控制作用，这望洋兴叹是MOSFET 的体效应，因此当衬低与源极之间电压不为零时，应考 虑体效应。 6. 分别由 MOSFET 和双极型晶体管构成单极放大器，如果将各自源极与漏