光发射二极管原理及应用.docVIP

《半导体物理》 期末课程作业 题目： 光发射二极管（LED） 姓名： XXXX 学号： 1302100213 班级： 光科1002 日期： XXXXXXX 成绩： 一、 The introduction of semiconductors Chapter 1 Electronic States in Semiconductors .Insulators, Semiconductors and Metals .Energy Band and Electronic States in Semiconductors .Effective Mass .Intrinsic Semiconductors Holes .Band Structures of Si and Ge .Band Structures of Ⅲ-Ⅴ Compound Semiconductors Chapter 2 Impurity and Defect Levels in Semiconductors .Impurity Levels in Si and Ge .Impurity levels in III –V compound semiconductors .Defects and Dislocation Levels Chapter 3 Statistics of Carriers in Semiconductor .Density of States .Semiconductor Statistics .Statistics when both donor and acceptor impurities exist .Degenerate semiconductors Chapter 4 Conductivity of Semiconductors .Drift and mobility of carriers .Scattering of carriers Chapter 5 Non-Equilibrium Carriers in Semiconductors .Injection and recombination of non-equilibrium carriers .The lifetime of non-equilibrium carriers .Quasi-Fermi levels .Recombination in semiconductors .Diffusion of carriers .The total drift current density of carriers Einstein relation Chapter 6 p-n Junctions .The formation of a p-n junction and its energy band . I-V characteristics of p-n junctions . Capacitance of p-n junctions . Breakdown of p-n junction . Tunnel diode (TD)-1957 Chapter 7 Metal-Semiconductor Contact .M-S contact and the band diagram Rectifying of M-S contact Light-emitting diodes(LEDs) Organic Opto-Electronics Solar cells 光发射二极管（light emitting diode）的发展历史 发光二极管简称为LED。由镓（Ga）与砷（AS）、磷（P）的化合物制成的二极管，当电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极管。Holonyak(霍洛尼亚柯)用化合物半导体材料磷砷化镓制成世界上第一支发光二极管（LED）。 众所周知，自美国发明家托马斯·爱迪生发明白炽灯至今的100 多年来，人们基本仍沿用爱迪生发明的技术生产白炽灯泡。灯泡的中间是一段金属钨丝，当电流通过时，钨丝受热激活灯泡中的气体发出光芒。但是，发光二极管灯泡无论在结构上还是在发光原理上，都与传统的白炽灯有着本质的不同。发光二极管是由数层很薄的搀杂半导体材料制成，一层带过量的电子，另一层因缺乏电子而形成带正电的“空穴”，当有电流通过时，电子和空穴相互结合并释放出能量，从而辐射出光芒。 开始时，这种发光二极管只能发红光，由于这种二极管不怎么亮，而且很贵，所以通用电气公司并没有重视。但他认为，发光二极管是一种很有前途的新光源，如果能获得