第三章 场效应管及基本放大电路(去背景).pdfVIP

第三章 场效应管及其组成 的基本放大器 场效应管的结构、工作原理和它的伏安 特性。 由场效应管组成的放大器的分析方法以 及场效应管放大器的各项指标。 特点： 场效应管(FET)是利用输入电压在管内所产生的电 效应，来控制其输出电流，是电压控制器件。它只有 一种载流子(多数载流子)参与导电，故又称为单极型 晶体管。 i C i B i D i i v E C GS BJT 电流控制器件 FET是电压控制器件 特点： 场效应管(FET)是利用输入电压在管内所产生的电 效应，来控制其输出电流，是电压控制器件。它只有 一种载流子(多数载流子)参与导电，故又称为单极型 晶体管。 9 场效应管的输入电阻很高，远远高于BJT，可达10 以 上 工艺简单，功耗很小，体积小、成本低。适用于大规 模集成。 分类： N沟道 (电子作为导电载流子) 从参与导电的载 流子来划分 P沟道 (空穴作为导电载流子) 结型场效应管 JFET (Junction type Field Effect Transister) 从结构来划分 金属－氧化物－半导体场效应管 MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor) 3.1 结型场效应管 1、N沟 JFET的结构示意图和电路符号 漏极 耗尽层 栅极 源极 P沟道JFET的结构示意图和电路符号 按照类似的方法，将基片换为P型半导体，把两边扩散的 半导体改为N型的，就制成了P沟道的结型场效应管。 2、结型场效应管的工作原理 N沟道JFET正常工作 时，g极与s极加负 压(v 0)，d极与s GS vDS 极加正压(v 0)。 DS 导电的载流子为自 vGS 由电子，所以称为N 沟道JFET。 P N 均反偏， 没有横向电流 (1) V =0时V 对沟道的影响 DS GS