直接键合硅片的亲水处理及其表征.pdfVIP

的亲水处理及其表征 ／ 星弼L／，杨传仁 王 新 学微电子所，成都 610054) 用清洗掖的接触角大小。 ． 。· 关量词掣皇苎塑 毫查竺里中圈分类号 D8掇袁 ， 之 ：TN305．2 文献标识码：A 文章编号：1003—353X(1999)5一 3—03 ／ characterizati。n 0f siljc。 Hydrophilicity Treatment He Jin，Chen Xingbi·Yang Chuanren，Wang Xin (Institute Microel~tronics，Univ~ ity of Science删 Technology，Ch~gdu 610054) Abstract Successful Silicon—to—silicon direct bonding (SDB)mainly depend on the hydrophilicity treatment of silicon surface．Micro—mechanism of hydrophilicity has been analyzed in the paper for the first time、From the point of physical chemistry of surface， the hydrophilicity level of common surface treatment can be characterized by the contact angle of a drop of water on the silicon surface．An indirect method to determine the con— tact angle based on suspensory principle is developed． Keywords SDB Hydrophilicity treatment Contact angle 合性能的影响 ]，而关于其亲水处理的效果， 1 前 言 目前几乎还无定量的讨论及评价方法。为了比 硅片直接键合技术(SDB)是制备各种硅微 较不同工艺及清洗液的亲水处理效果，本文从 结构的新工艺，目前已广泛应用于 SOI、PE、 界 (表)面物理化学的角度讨论了硅片表面亲 MEMS、VLSI等研究领域。由于硅片键合技术 水性处理的微观机理、表征方法，其后的红外 可以成功地代替高阻厚外延和制备良好的SO1 透射吸收谱测量证实了其可靠性 因此，这个 材料，因此，随着SDB工艺的进一步完善和成 方法及所获测量值可作为硅片表面亲水处理评 熟，可以肯定该技术在现代电力器件和高速高 价的一种普遍手段 压集成电路中必将有广阔的应用前景 硅片直 2 亲水处理及其表征 接键合技术的特点是不借外力、电场及粘合剂， 仅靠硅片表面的分子力作用直接键合而成，工 2、1 亲水处理的微观机理 艺简便、成本低廉。尽管如此，仅靠目前的工 当硅片经清洗液处理后表面不沾水分子时 艺要实现高质量、无污染、少空洞的键合依然