半导体制程概论萧宏chapter.ppt

Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm Chapter 11金屬化製程 目標 解釋金屬化製成的元件應用 列出最常使用的三種材料 列出三種金屬沉積的方法 說明濺鍍製程 解釋在金屬沉積製程中高真空需求的目的 金屬化製程 定義 應用 物理氣相沉積 vs. 化學氣相沉積 方法 真空 金屬 製程 未來的趨勢 金屬化製程 處理在晶圓表面沉積金屬薄膜. 應用 金屬連線 匣極和電極 微-鏡面(micro-mirror) 融合(Fuse) CMOS: 標準金屬化製程 應用: 局部連線 應用: 局部連線 取決於金屬化製程 最常使用的是銅—鋁合金 80~90年代的技術：鎢栓塞 鈦, 焊接層 TiN, 阻擋層, 附著與抗金屬反射鍍膜層 未來使用的是 – 銅! 以銅當導體連線的IC剖面圖 晶圓製造流程圖 應用: 匣極和電極 Al 匣極和電極 多晶矽代替鋁作為匣極的材料 金屬矽化物 WSi2 TiSi2 CoSi2, MoSi2, TaSi2, … Pt, Au, …在DRAM電容器作為電極 問與答 我們是否能夠根據圖形尺寸的縮小情況以同比例縮減金屬線的比例? 應用: 微鏡面(Micro-mirror) 數位投影顯示 鋁—鈦合金 小晶粒，高反射力 “家庭劇院” 應用: 融合(Fuse) 可程式化唯讀記憶體 (PROM) 高電流產生的熱