Ti复合材料中TiC的生长习性.pdfVIP

第 38卷 第 ll期 仓 扁 学 玫 Vo1．38 No．11 2002年 l1月 1223— 1227页 ACTA ETALLURGICA SINICA Nov． 2002 PP．1223—1227 自生 TiCp／Ti复合材料中TiC的生长习性 木 金云学 ) 张 虎 z) 曾松岩 。) 张二林 。) 李庆芬 ) 1)哈尔滨工程大学机电学院，哈尔滨 150001 2)北京航空航天大学材料科学与工程学院，北京 100083 3)哈尔滨工业大学金属精密热加工国防科技重点实验室，哈尔滨 150001 摘 要 利用配位多面体生长基元理论研究了自生TiC ／Ti复合材料中TiC的生长习性．TiC晶体的配位多面体生长基元 为TC6．生长基元进入 {100}面时为4个棱边同时联结，生长速率最快，不易显露；进入 {111}面时为共面联结，生长速率 最慢，容易显露．因此，TiC晶体的理想形态为以{111}面为显露面的八面体．TiC晶胚在熔体中生