掺杂BaAlBO3F2晶体的生长及性能研究.pdfVIP

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2017-10-09 发布于北京
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掺杂BaAlBO3F2晶体的生长及性能研究.pdf

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掺杂BaAlBO3F2晶体的生长及性能研究.pdf

第42卷第9期人工晶体学报 v。1．42N。．9 2013年9月 JOURNALOFSYNTHEllCCRYSTALS September．2013 掺杂BaAIB03F2晶体的生长及性能研究林渡1’2，岳银超1，李小矛1”，杨蕾1”，胡章贵1 (1．中国科学院理化技术研究所，北京100190；2．中国科学院大学，北京100049) 长紫移，拓宽其应用波段。研究发现Ga掺杂能够使BABF晶体的最短直接倍频波长从273 nnl紫移至259．5nm。理论上能够实现四倍频(266 am)激光输出。采用优化的B：0，一LiF—NaF助熔剂体系，通过中部籽晶法生长出尺寸 mmx20mill×10 为25 mm的Ba(Al，Ga)BO，F：晶体。对该晶体的透过光谱、光学均匀性、弱吸收、倍频匹配曲线、粉末倍频效应和激光损伤阈值的性能进行了表征，结果显示了该晶体在紫外波段激光输出的潜能。关键词：BABF晶体；四倍频；光学均匀性；双折射率；损伤阈值中图分类号：078 文献标识码：A ontheGrowthand of Study PropertiesDoped Crystal BaAIB03F2 LIN Yuanl’，YUEYin—cha01，LIXiao—nlATA91”，YANGLeil”，HU Zhang-guil Instituteof and of (1．Technical PhysicsChemistry，ChineseAcademy 100190，China； Sciences，Bering ofChinese of 2．University AcademySciences，Beijing100049，China) 25 1 (Received 4Pr／／2013，acceptedJuly2013) BABF were to its shiftits Abstract：The toblue shortestSHG crystalsdopedamplifybirefringence，thus andtobroadenits waveband．ItsfoundthatGa bluedshifttheshortest wavelength application doping SHG ofBABF from273nmto259．5 fourthharmonic laser wavelengthcrystal nm，making generation BABF