生长温度对AlGaInN四元合金薄膜性质的影响-物理学报.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 $6 !% %% !% ， ， ， +O/ 5$6 4O 5 !% )CVOWEX %% （ ） !%%%-’%M%%M$6 !% M8!-%$ .*N. TSUQ2*. Q242*. #%% *DA3 5 TDYP 5 QOC 5 生长温度对!#$%’ 四元合金薄膜性质的影响! !） !） !） !） !） 刘启佳 邵 勇 吴真龙 徐 洲 徐 峰 ） ） ）） ! # 刘 斌 谢自力 陈 鹏 !）（南京大学扬州光电研究院，扬州 $%% ） ）（南京大学物理系，南京 !%%’ ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） %% ! !! %% ’ ’ 利用金属有机物化学气相沉积（ ）方法在 面蓝宝石（ ）衬底上外延生长了铝镓铟氮（ ）四 ()*+, ! -./ ) ./01234 ! ’ 元合金薄膜 合金薄膜的生长温度设置为 ， ， ，对获得的样品进行对比分析发现：随着生长温度的升高， 5 6%% 6$% %% 7 合金中的 组分单调降低，而 组分则基本保持恒定 当合金薄膜的生长温度升高到 时，薄膜表面开始出 23 ./ 5 6$% 7 现 型缺陷；生长温度进一步升高到 时，偏析 原子的脱吸附作用加剧， 型缺陷成核被弱化，使 型缺陷 + %% 7 23 + + 的特征尺寸和分布密度大幅降低5 关键词： ，金属有机物化学气相沉积，生长温度 ./01234 ： ， ， (!)) 86%9 6!!%: 8’;% 中，由于 — 键能较弱， 原子在晶格中的结合往 23 4 23 !J 引 言 往要求较低的生长温度，而./ 原子由于其较低的迁 移率却要求较高的生长温度（三元合金23014 的金 族氮化物宽禁带半导体材料体系包括