水热条件下晶粒的聚集生长(Ⅱ) 氧化亚铜晶粒生长形态及其稳定能计算.pdfVIP

( E 辑) 第33 卷 第7 期 SCIENCE IN CHINA ( Series E ) 2003 年7 月 水热条件下晶粒的聚集生长( ): 氧化亚铜晶粒 生长形态及其稳定能计算* ** 陈之战 施尔畏 元如林 郑燕青 李汶军 赵同荣 (中国科学院上海硅酸盐研究所, 上海 200050) 摘要 报道了水热法制备氧化亚铜晶粒的实验结果. 大部分晶粒呈长柱状, 间有长 柱状晶粒沿某些特定方向联生而成的晶粒, 包括 6 个线度基本等长的柱状晶粒沿 3 个 相互垂直的方向联生而成的晶粒, 锥面在柱体顶端显露. 这表明在晶粒的形成过程中, 发生了由于某些显露的晶面之间结构相容而使得晶粒取向连生为主要内涵的第 2 类聚 集生长. 从氧化亚铜晶体结构出发, 选定了其生长基元的基本结构单元, 通过各类基元 稳定能的计算, 确定正方柱状和三轴生长基元为有利生长基元. 第 1 类聚集生长在水 热条件下晶粒生长过程普遍存在, 但是, 并不是所有的晶粒都能在水热条件下发生第2 类聚集生长. 晶粒是否可发生第2 类聚集生长取决于其自身的结构. 关键词 水热法 聚集生长 氧化亚铜晶体 生长基元稳定能 文献[1]提出了水热晶粒生长体系中存在着所谓的聚集生长(coalescence), 即在水热条件 下, 当体系中溶质的浓度高于晶粒成核所需的过饱和度时, 晶粒的成核与生长随之发生, 生成 粒度仅为数个纳米的小晶粒. 这些纳米晶比表面大, 显露高指数晶面, 表面自由能高. 水热反 应通常又在碱性介质中进行, 晶粒表面易吸附极性溶剂离子(如表面显露的阳离子吸附 OH 离 子), 使得它们聚集起来, 通过聚集生长最终形成粒度更大的晶粒. 文中将水热条件下晶粒的 聚集生长分为2 种类型, 第 1 类聚集生长是物料从小尺寸晶粒向大尺寸晶粒输运的重结晶过 程. 第2 类聚集生长实质上是结晶学中的配向生长问题, 即纳米晶聚集在一起, 当某些显露的 晶面之间结构相容时, 它们之间发生键结, 进而形成粒度更大的晶粒. 作为上述论文的后续篇, 本文将给出水热条件下第 2 类聚集生长的典型实验证据 水热法制备氧化亚铜 Cu O 晶粒 2 [2] 的实验结果, 并从“生长基元”模型 出发, 通过对氧化亚铜生长基元稳定能的计算, 说明其形 成的基本过程. 1 水热法制备氧化亚铜晶粒实验结果 称取适量的市售乙酸铜Cu(CH COO) ·2H O(上海科昌化学制剂有限公司, 化学纯), 用 去 3 2 2 离子水配置成一定浓度的乙酸铜溶液, 加入一定量的氨水 NH ·H O 调节溶液的酸碱度. 将溶 3