温度对SiO2表面上磁控溅射制备Ge纳米点的生长模式和尺寸的影响.pdfVIP

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2017-10-25 发布于北京
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温度对SiO2表面上磁控溅射制备Ge纳米点的生长模式和尺寸的影响.pdf

39卷第4期人工晶体学报 v。1．39N。．4 ．．垫!Q生!旦 …，。：』Q望娶堕垒圣QE曼羔堕!垡堡旦曼￡垦!曼!垒堑垒竺靶塾!!Q!Q 0日皿度对Si02表面上磁控溅射制备Ge纳米点的生长模式和尺寸的影响夏中高，王茺，鲁植全，李亮，杨宇 (云南大学光电信息材料研究所，昆明650091) 摘要：采用磁控溅射技术在SiO：／Si(100)表面上制备了一系列不同生长温度的Ge纳米点样品。原子力显微镜 (AFM)的实验结果表明：不同衬底温度下Ge纳米点在Sjq薄膜上的生长模式和尺寸分布有所不同。当衬底生长温度达到500℃时，SiO：开始与Ge原子发生化学反应，并形成“Ge纳米点的si窗口”。在此温度条件下，外延生长实验可获得尺寸均匀且密度高达3．2×10”Cm。的Ge纳米点。关键词：磁控溅射；Ge纳米点；Si02薄膜中图分类号：0484．1 文献标识码：A of EffectGrowth OilGrowthModeandSizeofGeNanodots Temperature Oil Surface PreparedSi02 byMagnetronSputtering XIA Yu Zhong-gao，WANGChong，LUZhi—quan，LILiang，YANG for Information (InstituteOptoeleetronieMaterials，Yunnan 650091，China) University，Kunming 6December 12March (Received 2009，accepted2010) seriesGenanodotswith Abstract：Aof different were on growthtemperaturepreparedSi02／Si(100) surface resultsshowedthatthe modesandsize magnetmn by sputteringtechnique．AFM growth distributionfortheGenanodotson filmsaredistinctatdifferent above Si02 temperature．Attemperature 500 toreactwithGeatomsandformtheSO—called”Siwindows”forthe of oC，Si02began growth nucleus．Basedonthis KSa Ge with size nanodotsanuniform temperaturegrowthparameter．epitaxial