温度对离子束溅射生长GeSi量子点的形貌影响.pdfVIP

囊口 锨 材 井 温度对离子束溅射生长Ge／Si量子点的形貌影响’ 张学贵1，王 茺1，杨 杰1．。，潘红星1，鲁植全1，李亮1，杨 宇1 (1．云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所，云南昆明650091； 2．昆明理工大学冶金与能源工程学院，云南昆明650093) 摘 要： 采用离子束溅射技术，在不同温度的Si (100)衬底上生长了一系列Ge量子点样品，利用究生长温度对Ge量子点生长的影响，获得了离子束 AFM和Raman光谱对样品表面形貌和结构进行表溅射生长高质量Ge量子点的最佳温度。 征，结果表明，随着温度升高，量子点密度增大(750℃ 2 实 验 生长的量子点密度达到1．85×i010cmq)，均匀性变好 及结晶性增强；但随生长温度升高，Si-Ge互混程度也 实验采用FJL560m型超高真空磁控与离子束联 同时加剧。 合溅射设备的离子束溅射室内制备样品。基片为n型 关键词： 离子束溅射；量子点；表面形貌；Raman光 谱 中图分类号：0484．1 文献标识码：A 法进行清洗，然后在浓度为2．5％的HF酸溶液中漂 文章编号：1001—9731(2010)11—1982·04 洗30s，用高纯氮气吹于后，将衬底放入真空腔。生长 过程中，本底真空度优于3．0×10～Pa，溅射真空度为 l 引 言 自从1990年Eaglesham等人发现无位错的三维 Ge／Si岛以来[1]，其独特的光电特性和潜在的应用价 值，成为国内外研究的热点。自组装生长量子点是一 个复杂的热力学和动力学共同作用的结果，影响其生 长的因素是多方面的。温度是其中重要影响因素，它 影响薄膜表面迁移率、成核条件、临界膜厚等口]。如果 知道量子点生长过程中随温度变化的规律，对能生长 出高密度，尺寸均一的量子点有重要意义。G．Abstre-20mW，光谱分辨率为lcm～。所有测试都是在室温 下进行。 iter等[3’4]人在用MBE生长si基自组织Ge量子点时 发现，随着生长温度的增加，Ge量子点尺寸分布变宽， 3结果与讨论 密度减小。周志玉等人[5]则报道了UHV-CVD技术 3．1 成功生长的Ge／Si量子点，并对不同温度下Ge量子点 AFM表面形貌观察 的成核变化情况进行了研究。 图1给出了不同生长温度下Ge量子点的AFM 离子柬溅射技术生长有设备结构简单、操作方便 观察结果，图2显示了不同生长温度下Ge量子点直径 和易于规模化生长等独特优点，广泛应用于薄膜材料 尺寸的分布统计。从图1(a)显示的表面形貌可以看 的制备研究。本课题组长期以来一直从事离子束溅射 到，580℃生长的样品由于生长温度较低，成核数量较 制备Si-Ge纳米薄膜材料及相关性能的研究，从Ar离 子能量、压强、束流、退火等[6呻]方面研究了Ge的结晶均高度也只有约6nm。将量子点生长温度小幅升高至 性、晶粒尺寸探索Ge纳米点的生长。为能应用离子 束生长出高质量的量子点提供了一定的实验和理论基 580℃相比变化不大，但是量子点密度和尺寸都开始有 础。但是在目前的研究中，用离子柬生长的量子点材 了一些变化，统计得到量子点的密度为2．81× 料芯片符合用于器件要求的报道较少，尤其是研究温 度对离子束溅射生长量子点影响的报道。 平均高度也达到了15nm。进一步升高温度至650℃ 在本文中，我们采用离子束溅射技术，在不同温度 的Si(IOO)衬底上生长了一系列Ge量子点样品。通 样品量子点无论在密度还是尺寸上都有了