点籽晶降温法快速生长大尺寸磷酸二氢钾晶体.pdfVIP

第22卷第12期 强 激 光 与 粒 子 束 V01．22，No．12 2010年12月 HIGHPOWERLASERANDPARTICI。EBEAMS Dec．。2010 文章编号： 1001-4322(2010)12—2857—03 点籽晶降温法快速生长大尺寸磷酸二氢钾晶体‘ 庄欣欣1， 叶李旺1， 汪剑成1， 苏根博1， 郑国宗1， 贺友平1， 林秀钦1， 胡国行2， 赵元安2 (1．中国科学院福建物质结构研究所·福州350002l2．中国科学院上海光学精密机械研究所，上海201800) 摘要： 大尺寸磷酸二氢钾(KDP)晶体在惯性约束聚变系统中主要用于制作变频及开关光学元件。在 传统生长技术基础上，开展了点籽晶降温法大尺寸KDP晶体的快速生长技术研究，设计制作大型培养槽及载 cm×50cm×41 晶架，采用过热注种方式试验点籽晶生长。培育出尺寸50 cm的KDP大单晶．其(100)面生长 100 速度稳定为15mm／d。晶体在300～1nm波段的透过光谱与常规生长的等同，影响晶体生长及光学品质 的主要的金属杂质离子Fe”，Cr3+，A1”等含量少于lo一，晶体激光损伤基频阈值30 J／era2，三倍频阈值达到 8．6J／cm2。 关键词： KDP晶体；透过光谱；损伤阈值；快速生长f 降温法 中图分类号：0532；0436．1文献标志码： A doi：10．3788／HPLP2857 磷酸二氢钾(KDP)具有优良的电光、非线性和压电性能，是一种重要的光电子功能晶体材料，其特点是可 生长出大尺寸单晶，晶体光学质量好，激光损伤阈值高，在激光技术中广泛用于制作倍频、混频和调制开关等光 c1n×40 学元器件，也是惯性约束聚变系统目前唯一可用于大口径(40 cm)变频光学元件制作的晶体。1997 cm×50 年，美国I，LNL实验室报道了点籽晶降温技术快速生长大尺寸(50 方法提高10倍，晶体培养周期从18个月缩短到2个月之内。国内关于快速生长大尺寸KDP晶体的研究起步 cmXl5 较晚，近期报道快速生长KDP晶体的尺寸仅为15 cmcz]，离工程应用指标仍有不小差距。 l 晶体生长 根据生长大尺寸KDP晶体生长槽的常规结构，设计制作包括直径1．4m吨级大型培养槽及温控系统，在 传统降温法基础上，研究点籽晶降温法大尺寸KDP晶体的生长工艺。试验过程包括：饱和溶液配制，采用国 药集团研产的KDP原料，按晶体材料的溶解度特性，配制特定温度的饱和生长溶液；溶液预处理，滤除和分解 mm×5mm 溶液中的杂质微粒或分子多聚体；注种，在过热溶液体系中注入尺寸10mm×10 KDP品种；晶体 生长过程调控，根据晶体生长速度及各晶面生长状况，预设 或调节生长参数；大尺寸晶体退火，有效消除晶体出槽由于 环境温差导致的晶体应力。晶种放置是很重要的环节，直 接影响到生长溶液体系的稳定性。快速生长点籽晶如 ZaitsevaEu报道先置种的下种方式，采用晶罩保护，然后整 个体系过热处理。本文设计的方案是在过热体系中直接注 入晶种，从而避免使用晶种保护罩装置。晶体生长过程中， 晶体(100)面扩展速度稳定控制在15mm／d，经过30d培 cm×50cm×41 育出口径为50 cm的KDP大单晶，晶形完 。