以离子被覆法制作氧化铟锡透明导电薄膜之研究.PDF

行 離 精 類 行 年年 行 立 益精 盧 參理 林 理 林 論 理 利 年 年 行政院國家科學委員會專題研究計畫成果報告 以離子被覆法製作氧化銦錫透明導電薄膜之研究 Investigation of Fabrication ITO Films by Ion Plating 計畫編號 ：NSC 95-2221-E-167-007 執行期限 ：95 年8月 1日至 96 年7月 31日 主持人：盧鴻華 執行機構及單位名稱 ：國立勤益技術學院 精密機械與製造科技研究所 一、摘要 15~40 液晶彩色電視 、筆記型個 人電腦螢幕 本研究利用離子被覆的方法蒸鍍 ITO 薄 ＜10 膜 ，藉由參數的調整來探討氧流量與基板溫度 電漿顯示器 、液晶顯示 對ITO 薄膜的影響。實驗結果顯示 ：氧流量增 器 、有機發光顯示器 、彩 加或基板溫度上升 （200℃）可以得到穿透率 色濾鏡用之電極 高且膜厚均勻度佳的 ITO 薄膜，並能夠提高鍍 率。 ITO 薄膜最早是以真空蒸著法製成，目前 已知的 ITO 薄膜成長方法很多，但多 關鍵詞 ：離子被覆蒸鍍、ITO 薄膜 偏向物理氣相沉積方式 ，包括電子槍蒸鍍 （E-beam Evaporation ）、雷射蒸鍍 （Laser 二、簡介 與研究目的 Deposition ）、濺鍍 （Sputtering ）、離子被覆 （Ion Plating ）…等方法2, 3, 4, 5, 9 。無論何種方 ITO 薄膜為一透明的導電薄膜，一般所使 法，無不以ITO 薄膜的透光率、導電率及平坦 用的 ITO 薄膜材料是將 5-10% SnO 加入 2 度等品質為努力方向 。 In O 中 ，此組成之薄膜具有較低的電阻值及 2 3 良好的光穿透率 。由於 ITO 薄膜具有高透明度 新的離子被覆蒸鍍法結合了電漿產生器 及良好的導電性 ，而被廣泛應用於顯示器產品 （Plasma Gun ）及電漿束控制器 （Plasma Beam 上 ，表一為ITO 薄膜的電性與產品應用範圍1, Controller ）（如圖一所示），因此可產生極大 2, 3, 4 。 的電子密度電漿 （electron density plasma ），