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以离子被覆法制作氧化铟锡透明导电薄膜之研究
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行政院國家科學委員會專題研究計畫成果報告
以離子被覆法製作氧化銦錫透明導電薄膜之研究
Investigation of Fabrication ITO Films by Ion Plating
計畫編號 :NSC 95-2221-E-167-007
執行期限 :95 年8月 1日至 96 年7月 31日
主持人:盧鴻華
執行機構及單位名稱 :國立勤益技術學院 精密機械與製造科技研究所
一、摘要 15~40 液晶彩色電視 、筆記型個
人電腦螢幕
本研究利用離子被覆的方法蒸鍍 ITO 薄
<10
膜 ,藉由參數的調整來探討氧流量與基板溫度 電漿顯示器 、液晶顯示
對ITO 薄膜的影響。實驗結果顯示 :氧流量增 器 、有機發光顯示器 、彩
加或基板溫度上升 (200℃)可以得到穿透率 色濾鏡用之電極
高且膜厚均勻度佳的 ITO 薄膜,並能夠提高鍍
率。 ITO 薄膜最早是以真空蒸著法製成,目前
已知的 ITO 薄膜成長方法很多,但多
關鍵詞 :離子被覆蒸鍍、ITO 薄膜 偏向物理氣相沉積方式 ,包括電子槍蒸鍍
(E-beam Evaporation )、雷射蒸鍍 (Laser
二、簡介 與研究目的 Deposition )、濺鍍 (Sputtering )、離子被覆
(Ion Plating )…等方法2, 3, 4, 5, 9 。無論何種方
ITO 薄膜為一透明的導電薄膜,一般所使 法,無不以ITO 薄膜的透光率、導電率及平坦
用的 ITO 薄膜材料是將 5-10% SnO 加入
2 度等品質為努力方向 。
In O 中 ,此組成之薄膜具有較低的電阻值及
2 3
良好的光穿透率 。由於 ITO 薄膜具有高透明度 新的離子被覆蒸鍍法結合了電漿產生器
及良好的導電性 ,而被廣泛應用於顯示器產品 (Plasma Gun )及電漿束控制器 (Plasma Beam
上 ,表一為ITO 薄膜的電性與產品應用範圍1, Controller )(如圖一所示),因此可產生極大
2, 3, 4
。 的電子密度電漿 (electron density plasma ),
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