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高光密度COB封装及应用

高光密度COB封装及应用 主讲:研发部经理 张磊 2015年6月9 日/6月10日 目录 1. 高光密度COB概念 2.高光密度COB封装技术解析 3.优化光品质 4. 产品介绍 1.高光密度COB概念 芯片电流密度 单颗芯片(非高压芯片)通过电流/芯片面积: 350mA/ mm² → 700mA/ mm² → 1000mA/ mm² → 更高 封装功率密度 封装功率/封装面积 0.01W/ mm² → 0.1W/ mm² → 0.4W/ mm² → 更高 高光密度COB封装 芯片电流密度 +芯片排布密度 封装发光亮度/封装发光面积 1.5lm/ mm² → 10lm/ mm² → 50lm/ mm² →更高 1.高光密度COB概念 LED热阻 热阻的定义:热通道上的温度差与通道上耗散功率之比。 LED的 热阻: Rth j -sp :从PN结(j 点)到焊点(sp )的热阻。 单位: ℃/W或K/W 1.高光密度COB概念 LED温度对光输出的影响 1.高光密度COB概念 LED温度对寿命的影响 一般电子器件的使用温度每上升10 ℃ ,寿命就减少一般 ; 温度每上升2 ℃ ,可靠性将下降10%。 1.高光密度COB概念 高光密度COB热管理 解决方案: 选用热结构更优芯片 ——上游产业 改进封装形式、搭配更优材料 ——封装企业研究方向 系统集成 芯片选择 封装设计 研究方向 ——下游使用 2.封装技术解析 应用与COB的材料 散热材料: 铜: 400W/(m·K ) 银: 429W/(m·K ) 铝:210W/(m·K ) Al2O3 :根据纯度不同导热率在20~32W/(m·K ),蓝宝石35W/(m·K ) AlN陶瓷:根据纯度不同导热率在180~230W/(m·K ) 碳化硅(SiC ):490W/(m·K ) 其他高导热率复合材料 绝缘材料: FR-4 :环氧玻璃纤维板(玻纤板),Tg(170~210℃),导热率一般在 0.2~2.2W/(m·K )。 BT材料:高Tg(255~330℃)、耐热性(160~230℃)、抗湿性、低介电常数 (dk)及低散失因素(df)等优点.导热率与FR-4相差不大。 2.封装技术解析 常见COB结构 正装芯片结构 (1 ):铜箔镀银板结构 (2 ):集成公模板结构 (3 ):导电基板直热沉结构 (4 ):绝缘基板直热沉结构 2.封

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