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高光密度COB封装及应用
高光密度COB封装及应用
主讲:研发部经理
张磊
2015年6月9 日/6月10日
目录
1. 高光密度COB概念
2.高光密度COB封装技术解析
3.优化光品质
4. 产品介绍
1.高光密度COB概念
芯片电流密度
单颗芯片(非高压芯片)通过电流/芯片面积:
350mA/ mm² → 700mA/ mm² → 1000mA/ mm² → 更高
封装功率密度
封装功率/封装面积
0.01W/ mm² → 0.1W/ mm² → 0.4W/ mm² → 更高
高光密度COB封装
芯片电流密度 +芯片排布密度
封装发光亮度/封装发光面积
1.5lm/ mm² → 10lm/ mm² → 50lm/ mm² →更高
1.高光密度COB概念
LED热阻
热阻的定义:热通道上的温度差与通道上耗散功率之比。
LED的 热阻:
Rth j -sp :从PN结(j 点)到焊点(sp )的热阻。
单位: ℃/W或K/W
1.高光密度COB概念
LED温度对光输出的影响
1.高光密度COB概念
LED温度对寿命的影响
一般电子器件的使用温度每上升10 ℃ ,寿命就减少一般 ;
温度每上升2 ℃ ,可靠性将下降10%。
1.高光密度COB概念
高光密度COB热管理
解决方案:
选用热结构更优芯片
——上游产业
改进封装形式、搭配更优材料
——封装企业研究方向
系统集成 芯片选择 封装设计
研究方向
——下游使用
2.封装技术解析
应用与COB的材料
散热材料:
铜: 400W/(m·K )
银: 429W/(m·K )
铝:210W/(m·K )
Al2O3 :根据纯度不同导热率在20~32W/(m·K ),蓝宝石35W/(m·K )
AlN陶瓷:根据纯度不同导热率在180~230W/(m·K )
碳化硅(SiC ):490W/(m·K )
其他高导热率复合材料
绝缘材料:
FR-4 :环氧玻璃纤维板(玻纤板),Tg(170~210℃),导热率一般在
0.2~2.2W/(m·K )。
BT材料:高Tg(255~330℃)、耐热性(160~230℃)、抗湿性、低介电常数
(dk)及低散失因素(df)等优点.导热率与FR-4相差不大。
2.封装技术解析
常见COB结构
正装芯片结构
(1 ):铜箔镀银板结构 (2 ):集成公模板结构
(3 ):导电基板直热沉结构 (4 ):绝缘基板直热沉结构
2.封
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