IR2110应用指南.pdf

应用指南AN-978 高压悬浮门驱动IC (HEXFET是国际整流器公司的商标) 目录 页码 高端器件的门驱动要求 2 典型结构图 3 如何选择自举元件 5 如何计算MGD 的功率损耗 6 如何处理Vs 引脚的负向瞬变 9 布线及一般注意事项 11 如何提高门驱动电流以驱动模块 14 如何提供连续的门驱动 17 如何产生负的门偏置 19 如何驱动降压转换器 22 双正激转换器和开关磁阻电机驱动 24 带电流模式控制的全桥 24 无刷和感应电机驱动 26 推挽式 27 高端P-沟道 27 故障排除指导 28 AN-978 RevD 1 1. 高端器件的门驱动要求 对于采用功率MOSFET或者IGBT作为高端开关（漏极跟高电压输入线相连，如图1所示）并在全 增强（也就是说，两个端子之间有最低的压降）下驱动的门驱动要求可以总结如下： 1. 门极电压必须比漏极高出10V到15V。作为一个高端开关，这样的门电压必定比输入 电压高，通常是系统可提供的最高电压。 2. 门极电压一定是通过逻辑信号控制的，而信号本身通常以地为参考。因此必须把逻辑 控制电平转换到高端功率器件的源极。在多数情况下，这个电平会在输入和地之间变 化。 3. 门极驱动电路所消耗的功率不应该明显地影响整体效率。 + V 高电压输入 GATE SOURCE 图 1: 高端配置的功率MOSFET 有了这些约束之后，目前有几种技术用来实现这个功能，如表格I原理所示那样（见29页）。 每种 基本电路可以由各式各样的方法实现。 国际整流器公司的MOS门驱动器族（MGD）集成了大部分所要求的功能，将绝大部分用来驱动高 压侧和低压侧的MOSFET或IGBT 的功能都集成在一个紧凑、高性能封装里。对IRS2110来说，只要 提供少数几个元件，就可以达到高速的开关频率，同时损耗很低。如表格II 中所示（见30页）。它 们可以通过自举或者悬浮电源的方式工作。在这种自举模式下使用，它们能工作于从数十赫兹到 几百kHz范围的大多数应用。 AN-978 RevD 2 2. 典型的结构图 IRS2110的这个结构图将用来阐述大多数MGD的典型结构，如图2所示。它包含了一个用于参考地 功率晶体管的驱动电路，一个用于高端晶体管的驱动电路，电平转换器和输入逻辑电路。 V