NAND_FLASH_内存详解.pdf

第一章 绪论 7-15 1.1 课题来源 7-8 1.2 研究背景与意义 8-14 1.2.1 Flash 介绍 8 1.2.2 NAND Flash 介绍 8-10 1.2.3 NAND Flash 与 NOR Flash 比较 10-13 1.2.4 研究目的 13-14 1.3 论文章节安排 14-15 2.1 NAND Flash 种类 15-17 2.1.1 SLC 15 2.1.2 MLC 15-17 2.2 NAND Flash 结构 17-29 2.2.1 NAND Flash 结构 17-22 2.2.2 NAND Flash 的主要流程 22-29 读操作 22-23 页编程操作 23-25 块擦除操作 25-26 COPY-BACK 编程 26-27 Two Plane 相关操作 27-29 2.3 小结 29-31 3.1 NAND Flash 坏块管理 31-33 3.1.1 坏块管理概念的提出 31-32 3.1.2 坏块管理的一般方法 32-33 3.2 NAND Flash 动态坏块管理算法研究与实现 33-56 3.2.1 NAND Flash 动态坏块管理设计思想 33-35 3.2.2 动态坏块管理算法步骤流程及具体函数实现 35-55 3.2.3 动态坏块管理算法与一般坏块管理算法比较总结 55-56 3.3 损耗平衡 56-58 3.3.1 损耗平衡原理和使用意义 56-57 3.3.2 损耗平衡算法 57-58 3.4 垃圾回收机制 58-61 NAND FLASH 内存详解与读写寻址方式 一、内存详解 NAND 闪存阵列分为一系列 128kB 的区块(block)，这些区块是 NAND 器件中最小 的可擦除实体。擦除一个区块就是把所有的位(bit)设置为1(而所有字节 (byte) 设置为 FFh)。有必要通过编程，将已擦除 的位从1变为0。最小的编程实体 是字节(byte)。一些NOR 闪存能同时执行读写操作(见下图 1)。虽然NAND 不能 同时执行读写操作，它可以 采用称为映射(shadowing)的方法，在系统级实现 这一点。这种方法在个人电脑上已经沿用多年，即将 BIOS 从速率较低的 ROM 加 载到速率较高 的RAM 上。 NAND 的效率较高，是因为NAND 串中没有金属触点。NAND 闪存单元的大小比NOR 要小 (4F2：10F2)的原因，是NOR 的每一个单元都需 要独立的金属触点。NAND 与硬盘驱动器类似，基于扇区(页)，适合于存储连续的数据，如图片、音频或个 人电脑数据。虽然通过把数据映射到 RAM 上，能在 系统级实现随机存取，但是， 这样做需要额外的 RAM 存储空间。此外，跟硬盘一样，NAND 器件存在坏的扇区， 需要纠错码(ECC)来维持数据的完整性。 存储单元面积越小，裸片的面积也就越小。在这种情况下，NAND 就能够为当今 的低成本消费市场提供存储容量更大的闪存产品。NAND 闪存用于几乎所 有可擦 除的存储卡。NAND 的复用接口为所有最新的器件和密度都提供了一种