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模拟电路部分习题答案 第二章 二极管及电路2-1．填空 （1）N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素；P型半导体是在本征半导体中掺入 三价元素 。 （2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流会 增大 。 （3）PN结的结电容包括势垒电容和扩散电容。 （4）晶体管的三个工作区分别是 放大区、截止区和饱和区。在放大电路中，晶体管通常工作在 放大区 区。 （5）结型场效应管工作在恒流区时，其栅-源间所加电压应该 反偏 。（正偏、反偏） 2-2．判断下列说法正确与否。 （1）本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。（ ） （2）P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ ） （3）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证RGS大的特点。（ ） （4）只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。（ ） （5）晶体管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。（ ） （6）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ ） （7）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ） （8）若耗尽型N沟道MOS场效应管的UGS大于零，则其输入电阻会明显减小。（） 答案：（1）对；温度升高后，载流子浓度会增加，但是对于本征半导体来讲，电子和空穴的数量始终是相等的。 （2）错；对于P型半导体或N型半导体在没有形成PN结时，处于电中性的状态。 （3）对；结型场效应管在栅源之间没有绝缘层，所以外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证RGS大的特点。 （4）错；稳压管要进入稳压工作状态两端加反向电压必须达到稳压值。 （5）错；晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过，只有在截止状态时没有电流流过。 （6）对； N型半导体中掺入足够量的三价元素，不但可复合原先掺入的五价元素，而且可使空穴成为多数载流子，从而形成P型半导体。 （7）对；PN结在无光照、无外加电压时，处于动态平衡状态，扩散电流和漂移电流相等。 （8）错。绝缘栅场效应管因为栅源间和栅漏之间有SiO2绝缘层而使栅源间电阻非常大。因此耗尽型N沟道MOS场效应管的UGS大于零，有绝缘层故而不影响输入电阻。2-3．怎样用万用表判断二极管的正、负极性及好坏？ 答：可以利用万用表的电阻挡测量二极管两端电阻，正向时电阻很小，反向时电阻很大。 2-4．二极管电路如题2-4图所示，试判断图中的二极管是导通还是截止？输出电压为多少？ 本题可以通过二极管端电压的极性判断其工作状态。一般方法是断开二极管，并以它的两个极作为端口，利用戴维南定理求解端口电压，若该电压是二极管正偏，则导通，若反偏则截止。 （a）图将二极管断开，从二极管的两个极为端口向外看，如题2-1解（a）图所示，则A-B间电压为12-6=6V，二极管处于正偏，导通。 （b）图将二极管断开，从二极管的两个极为端口向外看，如题2-1解（b）图所示，则A-B间电压为3-2=1V，二极管处于正偏，导通。 （c）当有两只二极管时，应用以上方法分别判断每只管子的状态。如题2-1解（c）图所示首先断开上面二极管D1，则下面二极管D2截止，所以D1两端电压为正偏导通；然后再断开下面二极管D2，如题2-1解（d）图则D1两端电压为正偏导通，则D2两端电压为负截止，综上所述，D1导通、D2截止。 （d）根据前面分析方法，可知D1、D3截止，D2、D4导通。 2-5．电路如题2-11图所示，稳压管的稳定电压UZ=8V，设输入信号为峰值15V三角波，试画出输出uo的波形。 解：如图所示。三角波正半周时，当电压幅值小于稳压管的稳压值时，稳压管截止，当等于大于稳压值时，稳压管反向击穿，输出电压为稳压管稳压值；三角波负半周时，稳压管正向导通，假设正向电阻为0，则输出电压为零。 2-6．如题2-12图所示，电路中两只稳压管完全相同，UZ=8V，，试画出输出uo的波形。 解：如图所示。三角波正半周时，当电压幅值小于稳压管的稳压值时，下面一只稳压管截止，当等于大于稳压值时，稳压管反向击穿，输出电压为稳压管稳压值；三角波负半周时，上面一只稳压管截止，当等于大于稳压值时，稳压管反向击穿，输出电压为稳压管稳压值。 2-7、2-8、2-9略 2-10．电路及二极管伏安特性如图所示，常温下UT≈26mV，电容C对交流信号可视为短路，ui为正弦波，有效值为10mV，问 （1）二极管在输入电压为零时的电流和电压各为多少？ （2）二极管中流过的交流电流有效值为多少？ 解：在分析这类电路时，应首先分析静态电流和电压，即静态工作点Q，然后求出在Q点下的动态电阻，再分析动态信号的作用。 （1）利用图解法可以方便地求出二极管的Q点。在动态信号为零时，二极管导通，电阻R中电流与二极管电流相等。因此，二极管的