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硅烯中受电场调控的体能隙和朗道能级计青山郝鸿雁张存喜-物理学报
硅烯中受电场调控的体能隙和朗道能级
计青山 郝鸿雁 张存喜 王瑞
ElectricfieldcontrolledenergygapandLandaulevelsin silicene
JiQing-Shan HaoHong-Yan ZhangCun-Xi WangRui
引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,087302(2015) DOI: 10.7498/aps.64.087302
在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.64.087302
当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2015/V64/I8
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物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 64, No. 8 (2015) 087302
硅烯中受电场调控的体能隙和朗道能级
计青山 郝鸿雁 张存喜 王瑞
1)(浙江海洋学院东海科学与技术学院, 舟山 316000)
2)(浙江海洋学院电子信息科学与工程系, 舟山 316022)
( 2014 年7 月31 日收到; 2014 年11 月20 日收到修改稿)
近年来, 硅烯(单层硅) 由于其独特的结构和电子性质以及在量子霍尔效应等领域的潜在应用而成为理论
和实验研究的一个热点. 借助于四带次近邻紧束缚模型, 详细计算和研究了硅烯中受电场调制的体能隙和电
子能级. 结果表明: 硅烯原胞中的两个子格处于不同的平面上, 可以通过外电场区分和控制这两个子格, 这将
破坏在纯石墨烯中无法被破坏的-′ 对称性, 并消除由这一对称性导致的电子能级的二重简并; 外加电场
还会引起硅烯中次近邻格点之间的Rashba 自旋轨道耦合, 这一作用会在不同狄拉克点有选择地消除电子能
级在部分电场点的简并, 相邻能级从交叉状态变为反交叉状态; 电子能级中除一些孤立的交叉点外, 每个能级
都具有确定的自旋取向, 石墨烯中电子能级的四重简并在硅烯中被完全消除, 从而导致填充因子 , ,
, , 的量子霍尔平台.
关键词: 硅烯, 朗道能级, 简并, 自旋轨道耦合
PACS: 73.22.Pr, 71.70.Di, 71.70.Ej DOI: 10.7498/aps.64.087302
Mele 17 就指出,
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