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低温GaAs外延层上生长InAs量子点的研究.pdf
第 卷第 期 红 外 与 毫 米 波 学 报
19 3 Vol. 19 No.3
年 月
2000 6 J . Infrared Millim. WaveS June 2000
低温GaAs 外延层上生长InAs量子点的研究
王晓东 汪 辉 王海龙 牛智川 封松林
(中国科学院半导体研究所 超晶格国家重点实验室 北京 100083D
摘要 利用退火技术 实现了在低温 GaAS 外延层上InAS 量子点的生长 透射电镜. (TEMD研究表明 低温 GaAS 外延层
上生长的 量子点比通常生长的 量子点明显变小 且密度变大 认为是由于低温 中的点缺陷以及 沉
InAS InAS GaAS AS
淀引起的 点缺陷释放了部分弹性能 使得量子点变小 而 沉淀可能是量子点密度变大的原因 在光致发光谱: . ( D
AS PL
上 退火低温外延层上生长的量子点的发光峰能量较高 且半高宽变窄 .
关键词 InAS 量子点 低温 GaAS AS 沉淀.
STUDY OF SELF ASSEMBLED InAs OUANTUM DOTS-
GROWN ON LOW TEMPERATURE GaAs EPI LAYER-
WANG iao Dong WANG ~ui WANG ~ai Long NIU Zhi Chuan FENG Song Lin- - - -
(National Laboratory for SuperlatticeS and MicroStructureS InStitute of SemiconductorS
ChineSe Academy of ScienceS Beijing 100083 ChinaD
- ( D ( - D -
Abstract InAS Self organized guantum dotS ODS groWn on annealed loW temperature GaAS LT GaAS epi layer
( D ( D .
Were inveStigated by tranSmiSSion electron microScopy TEM and photolumineScence PL meaSurement TE
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