低温外延生长平整ZnO薄膜.pdfVIP

第35卷第5期 发 光 学 报 VoL35 No．5 2014年5月 CHINESE OFLUMINESCENCE JOURNAL May，2014 文章编号：1000-7032(2014)05-0542-06 低温外延生长平整ZnO薄膜 赵鹏程1’2，张振中¨，姚 斌3，李炳辉1， 王双鹏1，姜明明1，赵东旭1，单崇新1，赵海峰1，刘雷1，申德振1 (1．发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，吉林长春130033； 2．中国科学院大学．北京100049；3．吉林大学物理学院，吉林长春130023) 摘要：在较低温度下实现平整ZnO薄膜的生长有利于ZnO的可控P型掺杂以及获得陡峭异质界面。本文使 用分子束外延方法，采用a面蓝宝石为衬底，在450oC下生长了一系列ZnO薄膜样品。在富氧生长的条件 nm／ 下，固定氧流量不变，通过调节锌源温度来改变锌束流，以此调控生长速率。样品的生长速率为40．100 h。通过扫描电镜(SEM)表征发现：在高锌束流的生长条件下，样品表面有很多不规则的颗粒；降低锌的供 应量后，样品表面逐渐平整。原子力显微镜(AFM)测试结果表明：样品的均方根表面粗糙度(RMS)只有 0．238 nm，接近于原子级平整度。这种平整表面的获得得益于较低的生长速率，以及ZnO外延薄膜与a面蓝 宝石衬底之间小的晶格失配。 关键词：ZnO；分子束外延；生长温度；平整表面 中图分类号：0484．4 文献标识码：A DOI：10．3788／fgx0542 SmoothSurface ofZnOThinFilmson Morphology atLow SapphireTemperature ZHAO Peng—chen91”，ZHANGZhen—zhongh，YAOBin3，LIBing—huil， WANG Shuang—pen91，JIANGMing—min91，ZHAODong—XU1，SHANChong-xinl， Lei ZHAO 1．SHENDe．zhenl Hai．fen91．LIU Luminescenceand Institute Mechanicsand (1．StateKeyLaboratoryof Applications，Changchunofoptics，Fine Physics， Chinese AcademyofSciences，Changchun130033，China； Chinese 2．Universityof AcademyofSciences，Bering100049，China； 3．DepartmentofPhysics，JilinUniversity，Changchun130023，China) Author，E-mail：exciton@163．com }Corresponding thinfilmth