低温生长SiO2钝化膜在太阳电池上的应用.pdfVIP

第30卷第8期 太阳能学报 v01．30．No．8 2009年8月 ACTAENERGIAESOLARISSINICA Aug．，2009 低温生长Si02钝化膜在太阳电池上的应用 胡 宇1，孟凡英1，董经兵2，江民林1，余跃波1， 杨 乐1，王栩生2，王景霄2，崔容强1 (1．上海交通大学物理系太阳能研究所，上海200240；2．江苏林洋新能源有限公司工程技术中心，江苏226263) 摘要：主要研究在晶体硅衬底上采用干氧氧化法生长siq薄膜，通过改变非晶Si02薄膜的生长温度、时间以及 气体流量等参数优化工艺条件，增强对硅片的钝化作用，提高光生少数载流子寿命。实验发现在840。C下生长的非 晶S她薄膜对硅片钝化效果最佳，可将硅片少子寿命提高约90％。此外，为优化siodsuL双层膜的减反射作用， 约9％。 关键词：干氧氧化；钝化；双层膜；太阳电池 中图分类号：11(513 文献标识码：A 0引言 1实验 目前，晶体硅是太阳电池的主流材料。晶体硅 实验所采用的单晶硅片电阻率为lfl·C1311，面积 材料质量对太阳电池的效率起至关重要的作用，晶 体硅基体材料表面缺陷密度很高(如大量的悬挂键、 阻约600Jsq。样品制备过程如下： 杂质、断键等)，导致硅片表面少子寿命大大降低，铝 1)用经典的半导体清洗工艺对原硅片进行清 背场可将背表面复合速率降到很低的水平¨’2J，这使 洗； 得上表面钝化成为影响少子寿命的关键。实验室中 J，通常其生长温度 钝化效果最好的是热生长Si02【3 行表面织构处理； 在1000℃以上且生长时间约1hH’51，而用于太阳电 3)扩散、去磷硅玻璃及等离子体刻边后，低温氧 池生产的硅片中杂质含量较高，高温长时间热氧化 化生长s她，测量有效少子寿命和si02膜厚； 会对硅片的体寿命产生不利影响，所以si02钝化一 4)PECvD沉积SiN，、印刷电极、烧结和测试。 直未能得到广泛应用。PECVD．SiN，具有低温低成 本等优点，使SiN，钝化成为主要表面钝化工艺，但 前后硅片有效少子寿命。有效少子寿命与表面复合 是SiN。／Si界面由于晶格失配严重其性质不如S她， 有如下关系[8]： Si[6l。 1 l C 为达到较理想的钝化效果，本文采用低温生长 三=三+2导 (1) rⅢ Z5 厶 一层薄Sio，钝化膜，然后再PECVD沉积具有氢钝化 式中，r击——有效少子寿命；Z5——体寿命；s—— 作用和很好减反射效果的SiN，膜[7]，这个优化的 材料表面复合速度；厶——材料厚度。由(1)式可 si02／SiN，双层膜能明显改善太阳电池的性能。 知，rd随表面复合速度增大而减小。 本文实验中Si02膜厚的测量采用椭偏仪，太阳 收稿日期：2008-01—16 基金项目：胡宇(1985一)，男，硕士研究生，主要从事硅太阳电池方面的研究。imyu@sjtu