利用同质缓冲层溅射生长c轴择优取向氮化铝薄膜.pdfVIP

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2017-10-25 发布于北京
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利用同质缓冲层溅射生长c轴择优取向氮化铝薄膜.pdf

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利用同质缓冲层溅射生长c轴择优取向氮化铝薄膜.pdf

第41卷第9期浙江大学学报(工学版) V01．41No9 of Journal Sciencel 2007年9月 ZhejiangUniversity【Engineering Sep．2007 利用同质缓冲层溅射生长C轴择优取向氮化铝薄膜梁俊华，郭冰，刘旭 (浙江大学现代光学仪器国家重点实验室，浙江杭州310027) 摘要；采用射频反应磁控溅射技术。利用低温低功率下生长的氮化镑(AIN)作为缓冲层，在锢锡复合氧化物 (ITO)玻璃衬底上制备出具有良好c轴择优取向的多晶AIN薄膜采用x射线衍射仪(XRD)、原子力显徽镜 (AFM)和场发射扫描电子显微镜(FESEM)研究了缓冲层对薄膜结晶特性和表面形貌的影响．结果表明．该缓冲层在提高AIN薄膜结晶质量的同时，薄膜的表面粗糙度由19．1rim减小到2．5rim，使薄膜表面更为平滑、致密．剖面扫描电子显微镜(SEM)照片显示AIN晶粒呈高度一致的柱状生长体制．通过分析样品的透射光谱，计算得到AIN 7和0．0077．薄膜的折射率和消光系数分别为2．018 关键词：AIN薄膜；反应磁控溅射；缓冲层f择优取向中围分类号：T1343 文献标识码：A 文章编号：1008—973X(2007)09—1512—04 of c—axis—orientedaluminum Sputteringgrowthpreferential nitridefilm buffer usinghomogeneouslayer LIANG Xu Jun—hua，GUOBing，LIU (StateKeyLaboratory 310027。China) aluminum filmwith was Abstract；Polycrystallinenitride(AIN)thine-axis orientation preferred deposited onindiumtin substratereactiveradio oxide(ITO)glassby frequency(RF)magnetron introduceda low A1N asbuffer films temperature werecharacterizedX— interlayer layer．Thedeposited by diffraction(XRD)，atomicforce fieldemission electron ray microscopy(AFM)and scanning microcopy influenceofthebufferonthe (FESEM)tothe andsurface in