半导体量子点自组织生长过程的控制.pdfVIP

第26卷增刊 半导体学报 V01．26 CHINESE 0FSEMICONDUCTORS 2005年6月 JOURNAL 半导体量子点自组织生长过程的控制* 娄朝刚1 李献杰2 张晓兵1 雷 威1 (1东南大学电子工程系，南京210096) (2河北半导体研究所，石家庄050051) 摘要：对控制半导体量子点的自组织生长进行了研究．在对平均场模型和非平均场模型计算机模拟结果分析的基 础上，提出了利用隔离单元抑制量子点的熟化生长的方法来控制量子点的大小，并对生长过程进行了计算机模拟． 结果表明通过将衬底表面的吸附原子海分割成一个个独立的隔离单元可以抑制量子点熟化生长，调节量子点的生 长速度，达到制备大小均匀、排列有序的半导体量子点阵列的目的． 关键词：自组织；量子点；熟化生长 PACC：6150C；8110B；6855 中图分类号：TN302 文献标识码：A 文章编号：0253—4177(2005)so—0078一04 1 前言 2平均场模型 半导体量子点因其优异的光电性能被认为是一 平均场模型的基本出发点就是认为衬底表面上 种具有广阔应用前景的纳米结构，因而在过去的十 的量子点(也就是所形成的岛)被吸附原子海包围， 几年里得到了高度的关注[1~4]．要使量子点具备所每个岛周围吸附原子海的化学势都相等(为了简化 需的性能，其尺寸必须非常小，通常在50nm以下． 模型的复杂性，本文只考虑二维圆形岛的生长情 由于受半导体微细加工技术的限制，采用传统的光 况)．岛的生长速度警可用下式表示嘲 刻技术很难达到这样的要求，并且容易给材料表面 造成破坏，而通过自组织生长方式则可以获得尺寸 。…’ 、一。(1) 筹一崭(“～a)a￡(o愚1…‘ 符合要求且晶格完整的半导体量子点，所以被普遍 其中 C表示二维岛的周长；∞表示单个原子的截 认为是一种非常有希望的方法． 面积；尼是波尔兹曼常数；丁是温度；r是岛边缘的 为了利用量子点来制作器件，就需要对量子点 迁移率；‰表示吸附原子海的化学势，它的值等于 的位置和尺寸进行控制．而要做到这一点，就必须了 具有平均半径的岛的化学势．岛本身的化学势“(这 解自组织生长过程的机理．目前国内外每年都在这 里只考虑形成二维岛造成的台阶所带来的能量增 方面发表大量的研究论文，但由于自组织生长过程 加)为[61 的复杂性，至今人们仍然不清楚其真正的机理，尚未 “一绁 (2) 找到一种较好的方法来控制量子点的位置和尺寸． 本文通过对描述自组织生长半导体量子点过程中熟 其中口是单位长度台阶所带来的能量；r为岛的半 化阶段的平均场模型和非平均场模型的讨论，提出 径． 了采用隔离单元的方法抑制熟化生长来获得大小均 匀、排列有序的量子点阵列的思路，并对生长过程进 化学势和较高的生长速度，较小的岛具有较高的化 行了计算机模拟．