场致发射阴极碳纳米管的热化学气相沉积法低温生长.pdfVIP

第56卷第1I期2007年11月 物理学报 ACTAPHYsJCASINICA @2007 1000—329012007156(11)16705-07 Chin．Phys．Soo． 场致发射阴极碳纳米管的热化学 气相沉积法低温生长。 郭平生 陈婷曹章轶 张哲娟 陈奕卫孙 卓’ 华东师范大学纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心，纳米功能材料和器件应用研究中心，物理系．上海20(n52 (2006年11月3日收到；2007年3月22日收到修改稿) 结合丝网印刷和过滤阴极真空电弧法，离子束溅射方法，在普通玻璃衬底上制备催化剂图案．采用低温热化学 气相沉积法(CVD)生长碳纳米管／纤维(CNTs)薄膜研究了不同种类催化剂对CN％薄膜生长及其场发射的影响 发射；而在Ni—Fe及Ni—Q两种催化剂上获得了大量的cNTB，并且表现出良好的场发射性能，开启电场为25V，肿． 这种热CVD有简单、低温等优点，在CNTs场发射显示器的阴极制备中有潜在的应用价值． 关键词：化学气相沉积．场致发射，碳纳米管，扫描电子显微镜 PACC：8115H，7970，6148 此，这种方法作为CNTs阴极的另一种主要制备方 1．引 言 法也受到广泛重视． 直接生长方法一般结合光刻或软光刻技术，利 碳纳米管，纤维(CNTs)有大长径比、良好的导电 用真空蒸发、溅射等方法预先在衬底上形成所需要 性、超强的力学性能、高热传导率、优异热学和化学 的催化剂薄膜图形，然后直接在催化剂上生长出 稳定性等，是优秀的电子场致发射材料．场致发射 CNTs薄膜”。1，1996年中国科学院物理所报道采用 CNTs阴极场发射显示器(c．FED)近年来一直是工业热化学气相沉积(CVD)直接生长法在700qc获得了 界和学术界的研究热点，人们期望c．FED这一新型 大面积垂直于衬底方向排列的碳纳米管薄膜并意识 的FED能真正走上市场“1’．CNTs阴极制备方法包到这种方法在场发射方面的应用““．此后，采用 括丝网印刷法040、直接生长法”。’、电泳法”1、喷溅 CVD直接生长法制备有场发射应用前景的CNTs膜 法”1、自组装法”1等．丝网印刷法具有工艺简单、成 不断取得进展．Ren等”“采用等离子增强热丝CVD， 本低廉、处理温度和普通玻璃兼容、易于大批量生产 乙炔(c，H)为碳源、氨气为催化剂和稀释气体，在低 等特点，适合大面积、低分辨率阴极的制备，主要的 于666℃反应温度下制得垂直于基体表面的定向多 c．FED研发机构大都采用这种方法制备CNTs阴极，壁纳米碳管阵列．Fan等“21报道了在硅和多孔硅上 显示出巨大的实际应用潜力”’4】．直接生长法可以方 700℃热CVD直接生长了自取向碳纳米管膜，CNTs 便地实现丝网印刷法无法达到的高分辨率(100膜实现了图案化生长、可以放大、有良好场发射特 “m)阴极图形制作的要求，适合小尺寸、高分辨率 性．chen等“”在镍片上用等离子增强热丝CVD法 FED阴极制备；同时，直接生长法比丝网印刷法更适 合于集成有栅极结构的阴极发射体CN％的生长。 V／tzm就达到了平板显示所需的发射电 V／vm，在2．5 它可以更好地控制CNTs的位置、取向、直径及长流．xu等”4在硅和玻璃衬底上用热CVD衬底温度 度，进而实现阴极CNTs和栅极孔的对齐、CNTs发射 为700℃也制备出了大面积图形化CNTs场发射体 体和栅极的距离控制、更低的栅极工作电压等”J．因 膜．CNTs膜在l一5