多晶变温磷吸杂.docVIP

变温磷吸杂对多晶硅性能的研究 铸造多晶硅因其较高的性价比已成为太阳电池最重要的原材料。但与单晶硅相比,它有较高密度的晶界、位错、微缺陷等结构缺陷和大量的金属杂质 (特别是过渡族金属[1 ] ) ,从而导致铸造多晶硅太阳电池效率低于直拉单晶硅电池效率。 J1 Chun 等人[2 ] 通过电子束诱生电流( EBIC) 研究发现,在室温下干净的晶界对少数载流子只具有很弱的复合活性;Higgs 等人[3 ] 发现纯净的位错也几乎没有复合活性。但这些晶界等结构缺陷与过渡族金属相互作用却极大地降低了器件的电学性能,从而降低了太阳电池的转换效率[4 ] 。在太阳电池的生产工艺中,制备P2N 结的同时,可以用磷吸杂的方法来吸除电池体内的过渡族金属杂质,从而大幅度地提高电池的转化效率[5 ,6 ] 。因此磷吸杂成为制备低成本、高效率晶体硅太阳电池的关键步骤之一。在近20 余年中,人们主要研究了恒温磷吸杂的效果和 机理,却很少有人研究变温磷吸杂的效果。本文通过比较恒温磷吸杂和变温磷吸杂的不同,发现变温吸杂比恒温吸杂具有更好的吸杂效果;同时指出磷吸杂的驱动力主要是金属杂质在不同区域的分凝所决定的。 1 实　验 111 　实验过程 样品选用同一硅锭相邻位置处的铸造多晶硅片,以确保样品具有相同的性能。硅片切割为 315cm ×315cm ,厚度约为300μm ,电阻率约为1Ω·cm ,用傅立叶变换红外光谱(FTIR) 测得其原始氧浓度约为416 ×1017 cm- 3 ,碳浓度约为511 ×1017 cm- 3 。 首先用腐蚀液去除表面20μm 左右的机械损伤层,接着用标准的RCA 清洗液进行清洗,去除硅片表面的沾污。将清洗后的硅片样品采用旋涂的方法在硅片两面旋涂美国Filmtronics 公司生产的型号为P509 的磷源,其磷原子的浓度为2 ×1021 cm- 3 ,旋涂速度为 2000rPmin ,时间30s ,以使表面均匀覆盖一层2μm 左右的磷膜。 将旋涂完磷源的样品放入常规热处理炉中在200 ℃、氮气氛下预烘培15min。然后将样品分为两组:一组进行700、800、900、1000、1100 ℃P2h 的恒温吸杂(图1) ;另一组进行变温吸杂(图2) ,即先高温吸杂一定的时间然后缓慢冷却至较低的温度再吸杂一定的时间,所有的吸杂处理都是在氮气氛保护下进行,具体的实验内容见表1。将吸杂处理后的样品浸入腐蚀液( V (HF) : V (HNO3 ) = 1 :3) 中浸泡,以去除表面的磷硅玻璃层,然后进行少子寿命测量,在测量前要对样品表面进行钝化处理。 112 　测试方法 少子寿命是反映硅材料质量(宏观缺陷密度信息) 的有限参数之一。在室温时,它最低可以探测到的缺陷密度为1010 ～1011 cm 23 。随着杂质密度的降低,材料的少子寿命增多,所以少子寿命被作为“洁净处理的监控器”[7 ] 。我们用有效寿命τeff 来表征材料的性能,它是由体寿命τb 和表面寿命τs 的综合 决定的。它们之间有如下的关系: 1τeff=1τb+1τs (1) 而τs = d2s (2) 其中, d ———材料的厚度; s ———材料表面的复合速率。可见当s 足够小的时候,τeff ≈τb 。所以在对材料进行少子寿命的测试前,必须要对材料表面进行钝化处理,以减小表面复合速率。微波光电导衰减 (μ2PCD) 法测试少子寿命具有无接触、简单、快捷、准确等优点,是美国材料实验协会(American Societyof Testing Materials) 推荐的少子寿命测试方法之一。 在本实验中我们采用Semilab 公司的WT2000 型微波光电导衰减仪。 2 　结果和讨论 211 　恒温吸杂 图3 是不同温度恒温吸杂处理后的少子寿命测试结果。从测试结果发现:经过中温(700～900 ℃)吸杂后,材料的性能都得以改善,尤其是经900 ℃P2h 的吸杂后,材料的少子寿命从初始的4121μs 提升为7130μs ,增加了73 %左右;但是随着吸杂温度的进一 步提高(如1000 ℃和1100 ℃时) ,少子寿命反而远远 低于其初始寿命,这表明在高温情况下多晶硅体内有更深的复合能级生成。从恒温吸杂的测试结果,我们发现恒温吸杂有一个最佳的吸杂温度,高于或低于该温度都不能达到最佳的吸杂效果。 212 　变温吸杂 变温吸杂是在吸杂的过程中通过改变吸杂的温度和时间来达到最佳的吸杂效果。具体要求是先高温吸杂一段时间,然后再缓慢冷却到较低的温度再吸杂一段时间。图4 是变温吸杂后的少子寿命测试结果。 通过测试结果我们发现: 在高温( 1100、1000 ℃) 时,变温吸杂的效果要远远好于恒温吸杂; 在中温(900、800 ℃) 时,变温吸杂与恒温吸杂的效果相差不大,但特别值