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太阳能电池工艺 入门培训资料 目 录 第一章 硅片的制绒 3 第一节 制绒目的 3 第二节 制绒原理 3 1、单晶：硅片表面的织构化 3 2、多晶：硅片表面的织构化 4 第三节 简要介绍 5 1、硅片表面损伤层的去除 5 2、工艺控制点 6 第四节 常见问题 6 1、表面问题 6 2、绒面问题 6 第二章 硅片的扩散 7 第一节 扩散目的 7 第二节 扩散原理 7 第三节 简要介绍 9 1、扩散方式 9 2、杂质在硅中的固溶度 9 3、扩散炉设备构造 10 4、扩散方块电阻 10 第三章 硅片的刻蚀 11 第一节 刻蚀的目的 11 第二节 刻蚀的原理 11 1、干法刻蚀 11 2、湿法刻蚀 12 第三节 常见问题 12 第四章 扩散后清洗 13 第一节 清洗的目的 13 第二节 清洗的原理 13 第三节 注意事项 13 第五章 PECVD 14 第一节 PECVD目的 14 第二节 PECVD原理 14 第三节 简要介绍 14 1、减反射膜 14 2、钝化效果 15 3、工艺关键指标控制 15 第六章 丝网印刷 16 第一节 丝网印刷目的 16 第二节 丝网印刷原理 16 第三节 简要介绍 17 网板 17 第四节 常见问题 18 第七章 烧结 19 第一节 烧结目的 19 第二节 烧结原理 19 第三节 简要介绍 21 第八章 测试 22 第一节 测试目的 22 第二节 测试原理 22 第三节 简要介绍 22 整理：张姝姝 硅片的制绒 第一节 制绒目的 1、消除表面硅片表面有机沾污和金属杂质 2、去除硅片表面的机械损伤层 3、在硅片表面形成表面织构，增加太阳光的吸收减少反射 绒面不仅仅是制作金字塔或腐蚀坑洞，也是改善表面态的有效手段，绒面制作不好表面态难以补偿，悬挂键大幅度增加，少子寿命复合严重，Isc的提高几乎不可能。 第二节 制绒原理 1、单晶：硅片表面的织构化 单晶硅片的绒面金相显微镜图片 利用低浓度碱溶液对晶体硅在不同晶体取向上具有不同腐蚀速率的各向异性腐蚀特性，在硅片表面腐蚀形成角锥体（就是我们所说的金字塔）密布的表面形貌，就称为表面织构化。反应式为：Si+2NaOH+H2O→Na2SiO3 +2H2↑ 依靠表面金字塔形的方锥结构,对光进行多次反射,不仅减少了反射损失,且改变了光在硅中的前进方向,延长了光程,增加了光生载流子的产量；曲折的绒面又增加了p-n结面积,从而增加对光生载流子的收集率；并改善了电池的红光响应。 2、多晶：硅片表面的织构化 多晶硅片的绒面金相显微镜图片 多晶硅制绒是损伤层的去除和制绒面同时进行的。控制的主要参数是减薄量。为保证损伤层的去除干净，减薄必须要够，但不能过大。 制绒体系分为CrO3/HF和HNO3/HF的体系： (1）CrO3的主要作用是起氧化，HF的作用是去除氧化层，二者结合在一块使得硅片不断的剥离反应。单独一样化学药品是不与硅反应的。总的反应式为：3Si+2H2Cr2O7+18HF=3H2SiF6+2Cr2O3↓+8H2O (2) HNO3/HF也就是RENA-Intex，其基本反应方程式： 3 Si +4 HNO3+ 18 HF→3 H2SiF6 +4 NO +8 H2O 部分反应式：氧化反应：(激活生成 Nox) Si+ 4 HNO3→SiO2+ 4 NO2 +2 H2O 反应慢 2NO2+ H2O→HNO2 +HNO3 Si+ 4HNO2→SiO2+4NO2+H2O 反应快 NO,NO2,N2O 等(NOx) NOx溶解在水中(黄色) 生成HNO2，HNO2 HNO3。 氧化溶解:SiO2+4 HF→SiF4+2 H2O 水溶解复合反应生成:SiF4+2 HF→H2SiF6 第三节 简要介绍 1、硅片表面损伤层的去除 单晶硅 多晶硅 硅锭线切割 （1）表面损伤层的危害 表面损伤层如果去除不净，将会导致残余缺陷，残余缺陷在后续高温处理过程中向材料深处继续延伸，切割过程中导致的杂质未能完全去除，这些都会增加硅片的表面复合速率，严重影响电池片的效率。 （2）损伤层的去除方法 就目前线切割技术来说，一般硅片表面的损伤层厚度（双面）保持在10um，通过硅片的减薄量来衡量。对于单晶硅片，通常采用粗抛或细抛的方法来消除。但由于现在市场上的硅片普遍较薄，所以，粗泡的方法一般不会采用。我们目前单晶制绒的工艺，制绒前的高温稀碱超声就是细抛。对于多晶硅片，通常都会在制绒的同时已经对损伤层进行了去除。 2、工艺控制点 减薄量：单晶：0.28g-0.4g 多晶：0.40g-0.55g 单晶金字塔大小：3-10μm 多晶坑洞大小：3-10μm 思考：减薄量大小，金字塔和坑洞大小对电池片的影响。 第四节 常见问